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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXTP100N04T2
IXTP100N04T2 Image
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IXTP100N04T2 - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXTP100N04T2
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXTP100N04T2
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
IXT(A,P)100N04T2.pdf
RoHS Status
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 27829

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Spezifikation

IXTP100N04T2 Tech -Spezifikationen
IXYS - IXTP100N04T2 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXTP100N04T2

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3  
Serie TrenchT2™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 25A, 10V  
Verlustleistung (max) 150W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2690 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25.5 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100A (Tc)  
Grundproduktnummer IXTP100  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXTP100N04T2.

Produkteigenschaften IXTP100N04T2 IXTP05N100 IXTP08N100P IXTP110N055T2
Artikelnummer IXTP100N04T2 IXTP05N100 IXTP08N100P IXTP110N055T2
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±20V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2690 pF @ 25 V 260 pF @ 25 V 240 pF @ 25 V 3060 pF @ 25 V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Paket Tube Tube Tube Tube
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Verlustleistung (max) 150W (Tc) 40W (Tc) 42W (Tc) 180W (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 25A, 10V 17Ohm @ 375mA, 10V 20Ohm @ 500mA, 10V 6.6mOhm @ 25A, 10V
FET-Merkmal - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4V @ 50µA 4V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Serie TrenchT2™ - Polar TrenchT2™
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100A (Tc) 750mA (Tc) 800mA (Tc) 110A (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 1000 V 1000 V 55 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Grundproduktnummer IXTP100 IXTP05 IXTP08 IXTP110
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25.5 nC @ 10 V 7.8 nC @ 10 V 11.3 nC @ 10 V 57 nC @ 10 V

IXTP100N04T2 Datenblatt PDF

Laden Sie IXTP100N04T2 PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXTP100N04T2 - IXYS herunter.

Datenblätter
IXT(A,P)100N04T2.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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mögliche Zahlungsmitteln

Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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IXYS
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