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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXTP10N60P
IXTP10N60P Image
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IXTP10N60P - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXTP10N60P
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXTP10N60P
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
IXT(A,P) 10N60P.pdf
RoHS Status
vorrätig: 12662

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Anzahl

Spezifikation

IXTP10N60P Tech -Spezifikationen
IXYS - IXTP10N60P Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXTP10N60P

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3  
Serie Polar  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 740mOhm @ 5A, 10V  
Verlustleistung (max) 200W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1610 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10A (Tc)  
Grundproduktnummer IXTP10  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXTP10N60P.

Produkteigenschaften IXTP10N60P IXTP100N04T2 IXTN90P20P IXTP10P50P
Artikelnummer IXTP10N60P IXTP100N04T2 IXTN90P20P IXTP10P50P
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±20V
VGS (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 1mA 4V @ 250µA
Paket Tube Tube Tube Tube
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1610 pF @ 25 V 2690 pF @ 25 V 12000 pF @ 25 V 2840 pF @ 25 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Verlustleistung (max) 200W (Tc) 150W (Tc) 890W (Tc) 300W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Grundproduktnummer IXTP10 IXTP100 IXTN90 IXTP10
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 SOT-227-4, miniBLOC TO-220-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 740mOhm @ 5A, 10V 7mOhm @ 25A, 10V 44mOhm @ 500mA, 10V 1Ohm @ 5A, 10V
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 SOT-227B TO-220-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10A (Tc) 100A (Tc) 90A (Tc) 10A (Tc)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Chassis Mount Through Hole
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 40 V 200 V 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32 nC @ 10 V 25.5 nC @ 10 V 205 nC @ 10 V 50 nC @ 10 V
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET N-Channel N-Channel P-Channel P-Channel
Serie Polar TrenchT2™ PolarP™ PolarP™

IXTP10N60P Datenblatt PDF

Laden Sie IXTP10N60P PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXTP10N60P - IXYS herunter.

Datenblätter
IXT(A,P) 10N60P.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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