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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysVBH40-05B
IXYS
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

VBH40-05B - IXYS

Hersteller Artikelnummer
VBH40-05B
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-VBH40-05B
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 4N-CH 500V 40A V2
detaillierte Beschreibung
Verpackung
V2-PAK
Datenblatt
VBH40-05B.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5120

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Anzahl

Spezifikation

VBH40-05B Tech -Spezifikationen
IXYS - VBH40-05B Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - VBH40-05B

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 8mA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse V2-PAK  
Serie HiPerFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 116mOhm @ 30A, 10V  
Leistung - max -  
Verpackung / Gehäuse V2-PAK  
Paket Box  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Chassis Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds -  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 270nC @ 10V  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 40A  
Konfiguration 4 N-Channel (Half Bridge)  
Grundproduktnummer VBH40  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS VBH40-05B.

Produkteigenschaften VBH40-05B AO8814 SI5997DU-T1-GE3 CSD88537NDT
Artikelnummer VBH40-05B AO8814 SI5997DU-T1-GE3 CSD88537NDT
Hersteller IXYS Alpha & Omega Semiconductor Inc. Vishay Siliconix Texas Instruments
Supplier Device-Gehäuse V2-PAK 8-TSSOP PowerPAK® ChipFet Dual 8-SOIC
Konfiguration 4 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Grundproduktnummer VBH40 AO881 SI5997 CSD88537
FET-Merkmal - Logic Level Gate Logic Level Gate -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 116mOhm @ 30A, 10V 16mOhm @ 7.5A, 10V 54mOhm @ 3A, 10V 15mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 270nC @ 10V 15.4nC @ 4.5V 14.5nC @ 10V 18nC @ 10V
Befestigungsart Chassis Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Paket Box Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse V2-PAK 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) PowerPAK® ChipFET™ Dual 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Leistung - max - 1.5W 10.4W 2.1W
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds - 1390pF @ 10V 430pF @ 15V 1400pF @ 30V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 8mA 1V @ 250µA 2.4V @ 250µA 3.6V @ 250µA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500V 20V 30V 60V
Serie HiPerFET™ - TrenchFET® NexFET™
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 40A - 6A 15A
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

VBH40-05B Datenblatt PDF

Laden Sie VBH40-05B PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für VBH40-05B - IXYS herunter.

Datenblätter
VBH40-05B.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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