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EMD62T2R - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
EMD62T2R
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-EMD62T2R
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Verpackung
SOT-563, SOT-666
Datenblatt
EMD62T2R.pdf
RoHS Status
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 547550

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Spezifikation

EMD62T2R Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - EMD62T2R Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - EMD62T2R

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 5mA  
Transistor-Typ 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  
Supplier Device-Gehäuse EMT6  
Serie -  
Widerstand - Emitterbasis (R2) 47kOhms  
Widerstand - Basis (R1) 47kOhms  
Leistung - max 150mW  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse SOT-563, SOT-666  
Paket Tape & Reel (TR)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 250MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 80 @ 5mA, 10V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA  
Grundproduktnummer EMD62  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor EMD62T2R.

Produkteigenschaften EMD62T2R EMD53T2R EMD6T2R EMD59T2R
Artikelnummer EMD62T2R EMD53T2R EMD6T2R EMD59T2R
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Widerstand - Basis (R1) 47kOhms 10kOhms 4.7kOhms 10kOhms
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V 50V 50V 50V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Serie - - - -
Transistor-Typ 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Verpackung / Gehäuse SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA 500nA - 500nA
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 5mA 150mV @ 500µA, 5mA 300mV @ 250µA, 5mA 150mV @ 500µA, 5mA
Grundproduktnummer EMD62 EMD53 EMD6T2 EMD59
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 80 @ 5mA, 10V 35 @ 5mA, 10V 100 @ 1mA, 5V 80 @ 5mA, 10V
Frequenz - Übergang 250MHz 250MHz 250MHz 250MHz
Supplier Device-Gehäuse EMT6 EMT6 EMT6 EMT6
Widerstand - Emitterbasis (R2) 47kOhms 10kOhms - 47kOhms
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Leistung - max 150mW 150mW 150mW 150mW
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA 100mA 100mA 100mA

EMD62T2R Datenblatt PDF

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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