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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-bipolare (BJT)-Arrays, Pre-biasedIMD9AT108
IMD9AT108 Image
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IMD9AT108 - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
IMD9AT108
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-IMD9AT108
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SC-74, SOT-457
Datenblatt
SMT6 T108 Taping Spec.pdf
RoHS Status
vorrätig: 260600

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Anzahl

Spezifikation

IMD9AT108 Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - IMD9AT108 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - IMD9AT108

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA  
Transistor-Typ 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  
Supplier Device-Gehäuse SMT6  
Serie -  
Widerstand - Emitterbasis (R2) 47kOhms  
Widerstand - Basis (R1) 10kOhms  
Leistung - max 300mW  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse SC-74, SOT-457  
Paket Tape & Reel (TR)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 250MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 68 @ 5mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA  
Grundproduktnummer IMD9  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor IMD9AT108.

Produkteigenschaften IMD9AT108 IMD16AT108 IMD6AT108 IMD2AT108
Artikelnummer IMD9AT108 IMD16AT108 IMD6AT108 IMD2AT108
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA 300mV @ 2.5mA, 50mA / 300mV @ 100µA, 1mA 300mV @ 250µA, 5mA 300mV @ 500µA, 10mA
Serie - - - -
Widerstand - Emitterbasis (R2) 47kOhms 22kOhms - 22kOhms
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V 50V 50V 50V
Frequenz - Übergang 250MHz 250MHz 250MHz 250MHz
Supplier Device-Gehäuse SMT6 SMT6 SMT6 SMT6
Verpackung / Gehäuse SC-74, SOT-457 SC-74, SOT-457 SC-74, SOT-457 SC-74, SOT-457
Transistor-Typ 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 1 PNP Pre-Biased, 1 NPN 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Grundproduktnummer IMD9 IMD16 IMD6 IMD2
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA - 500nA (ICBO) 500nA
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 68 @ 5mA, 5V 100 @ 1mA, 5V / 82 @ 50mA, 5V 100 @ 1mA, 5V 56 @ 5mA, 5V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA 100mA, 500mA 100mA 100mA
Leistung - max 300mW 300mW 300mW 300mW
Widerstand - Basis (R1) 10kOhms 100kOhms, 2.2kOhms 4.7kOhms 22kOhms

IMD9AT108 Datenblatt PDF

Laden Sie IMD9AT108 PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für IMD9AT108 - Rohm Semiconductor herunter.

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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