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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelQS5U34TR
Rohm Semiconductor
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QS5U34TR - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
QS5U34TR
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-QS5U34TR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 1.5A TSMT5
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Datenblatt
QS5U34TR.pdf
RoHS Status
vorrätig: 212590

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Anzahl

Spezifikation

QS5U34TR Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - QS5U34TR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - QS5U34TR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 1.3V @ 1mA  
Vgs (Max) 10V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TSMT5  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 1.5A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 1.25W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 110 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.5 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal Schottky Diode (Isolated)  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.5A (Ta)  
Grundproduktnummer QS5U34  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor QS5U34TR.

Produkteigenschaften QS5U34TR QS5U27TR QS5U36TR QS5U28TR
Artikelnummer QS5U34TR QS5U27TR QS5U36TR QS5U28TR
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 110 pF @ 10 V 325 pF @ 10 V 280 pF @ 10 V 450 pF @ 10 V
Verlustleistung (max) 1.25W (Ta) 1.25W (Ta) 1.25W (Ta) 1.25W (Ta)
FET-Merkmal Schottky Diode (Isolated) Schottky Diode (Isolated) Schottky Diode (Isolated) Schottky Diode (Isolated)
Betriebstemperatur 150°C 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 1.3V @ 1mA 2V @ 1mA 1.3V @ 1mA 2V @ 1mA
Grundproduktnummer QS5U34 QS5U27 QS5U36 QS5U28
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 20 V 20 V 20 V
Verpackung / Gehäuse SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Supplier Device-Gehäuse TSMT5 TSMT5 TSMT5 TSMT5
Vgs (Max) 10V ±12V ±10V ±12V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 1.5A, 4.5V 200mOhm @ 1.5A, 4.5V 81mOhm @ 2.5A, 4.5V 125mOhm @ 2A, 4.5V
Typ FET N-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.5 nC @ 4.5 V 4.2 nC @ 4.5 V 3.5 nC @ 4.5 V 4.8 nC @ 4.5 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.5A (Ta) 1.5A (Ta) 2.5A (Ta) 2A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V 2.5V, 4.5V 1.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

QS5U34TR Datenblatt PDF

Laden Sie QS5U34TR PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für QS5U34TR - Rohm Semiconductor herunter.

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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