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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-bipolare (BJT)-ArraysQS5W2TR
Rohm Semiconductor
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QS5W2TR - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
QS5W2TR
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-QS5W2TR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS 2NPN 50V 3A TSMT5
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Datenblatt
QS5W2TR.pdf
RoHS Status
vorrätig: 155990

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Anzahl

Spezifikation

QS5W2TR Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - QS5W2TR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - QS5W2TR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 350mV @ 50mA, 1A  
Transistor-Typ 2 NPN (Dual) Common Emitter  
Supplier Device-Gehäuse TSMT5  
Serie -  
Leistung - max 1.25W  
Verpackung / Gehäuse SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 320MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 180 @ 50mA, 3V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 1µA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 3A  
Grundproduktnummer QS5W2  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor QS5W2TR.

Produkteigenschaften QS5W2TR QS5Y2FSTR QS5U36TR QS5V9910-2SOC
Artikelnummer QS5W2TR QS5Y2FSTR QS5U36TR QS5V9910-2SOC
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor QS
Transistor-Typ 2 NPN (Dual) Common Emitter NPN, PNP (Emitter Coupled) - -
Verpackung / Gehäuse SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V 50V - -
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) -
Strom - Kollektor (Ic) (max) 3A 3A - -
Strom - Collector Cutoff (Max) 1µA (ICBO) 1µA (ICBO) - -
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 180 @ 50mA, 3V 180 @ 50mA, 3V - -
Serie - - - -
Grundproduktnummer QS5W2 QS5Y2 QS5U36 -
Leistung - max 1.25W 500mW - -
Frequenz - Übergang 320MHz 320MHz, 300MHz - -
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 350mV @ 50mA, 1A 350mV @ 50mA, 1A / 400mV @ 50mA, 1A - -
Supplier Device-Gehäuse TSMT5 TSMT5 TSMT5 -

QS5W2TR Datenblatt PDF

Laden Sie QS5W2TR PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für QS5W2TR - Rohm Semiconductor herunter.

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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