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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysQS8J13TR
QS8J13TR Image
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QS8J13TR - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
QS8J13TR
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-QS8J13TR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2P-CH 12V 5.5A TSMT8
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SMD, Flat Lead
Datenblatt
QS8J13TR.pdf
RoHS Status
vorrätig: 86050

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Anzahl

Spezifikation

QS8J13TR Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - QS8J13TR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - QS8J13TR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TSMT8  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 5.5A, 4.5V  
Leistung - max 1.25W  
Verpackung / Gehäuse 8-SMD, Flat Lead  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6300pF @ 6V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 12V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.5A  
Konfiguration 2 P-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer QS8J13  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor QS8J13TR.

Produkteigenschaften QS8J13TR QS8J2TR QS8J4TR QS8J12TCR
Artikelnummer QS8J13TR QS8J2TR QS8J4TR QS8J12TCR
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Leistung - max 1.25W 550mW 550mW 550mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 5.5A, 4.5V 36mOhm @ 4A, 4.5V 56mOhm @ 4A, 10V 29mOhm @ 4.5A, 4.5V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6300pF @ 6V 1940pF @ 6V 800pF @ 10V 4200pF @ 6V
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA 1V @ 1mA 2.5V @ 1mA 1V @ 1mA
Supplier Device-Gehäuse TSMT8 TSMT8 TSMT8 TSMT8
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Konfiguration 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Grundproduktnummer QS8J13 QS8J2 QS8J4 QS8J12
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.5A 4A 4A 4.5A
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 4.5V 20nC @ 4.5V 13nC @ 10V 40nC @ 4.5V
Verpackung / Gehäuse 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 12V 12V 30V 12V
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate, 1.5V Drive Logic Level Gate Logic Level Gate, 1.5V Drive
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)

QS8J13TR Datenblatt PDF

Laden Sie QS8J13TR PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für QS8J13TR - Rohm Semiconductor herunter.

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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