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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysQS8K13TCR
QS8K13TCR Image
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QS8K13TCR - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
QS8K13TCR
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-QS8K13TCR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 6A TSMT8
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SMD, Flat Lead
Datenblatt
QS8K13TCR.pdf
RoHS Status
vorrätig: 69530

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Anzahl

Spezifikation

QS8K13TCR Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - QS8K13TCR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - QS8K13TCR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TSMT8  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28mOhm @ 6A, 10V  
Leistung - max 550mW  
Verpackung / Gehäuse 8-SMD, Flat Lead  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 390pF @ 10V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer QS8K13  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor QS8K13TCR.

Produkteigenschaften QS8K13TCR QS8K2TR QS8M13TCR QS8J2TR
Artikelnummer QS8K13TCR QS8K2TR QS8M13TCR QS8J2TR
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) N and P-Channel 2 P-Channel (Dual)
Serie - - - -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 390pF @ 10V 285pF @ 10V 390pF @ 10V 1940pF @ 6V
Supplier Device-Gehäuse TSMT8 TSMT8 TSMT8 TSMT8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V 4.6nC @ 4.5V 5.5nC @ 5V 20nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28mOhm @ 6A, 10V 54mOhm @ 3.5A, 4.5V 28mOhm @ 6A, 10V 36mOhm @ 4A, 4.5V
FET-Merkmal - Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate, 1.5V Drive
Grundproduktnummer QS8K13 QS8K2 QS8M13 QS8J2
Leistung - max 550mW 1.25W 1.5W 550mW
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 30V 30V 12V
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA 1.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA 1V @ 1mA
Verpackung / Gehäuse 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6A 3.5A 6A, 5A 4A

QS8K13TCR Datenblatt PDF

Laden Sie QS8K13TCR PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für QS8K13TCR - Rohm Semiconductor herunter.

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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