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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysQS8J4TR
QS8J4TR Image
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QS8J4TR - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
QS8J4TR
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-QS8J4TR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2P-CH 30V 4A TSMT8
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SMD, Flat Lead
Datenblatt
QS8J4TR.pdf
RoHS Status
vorrätig: 73930

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Anzahl

Spezifikation

QS8J4TR Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - QS8J4TR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - QS8J4TR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TSMT8  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 56mOhm @ 4A, 10V  
Leistung - max 550mW  
Verpackung / Gehäuse 8-SMD, Flat Lead  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 800pF @ 10V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4A  
Konfiguration 2 P-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer QS8J4  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor QS8J4TR.

Produkteigenschaften QS8J4TR QS8K2TR QS8J13TR QS8K13TCR
Artikelnummer QS8J4TR QS8K2TR QS8J13TR QS8K13TCR
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Rds On (Max) @ Id, Vgs 56mOhm @ 4A, 10V 54mOhm @ 3.5A, 4.5V 22mOhm @ 5.5A, 4.5V 28mOhm @ 6A, 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Konfiguration 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA 1.5V @ 1mA 1V @ 1mA 2.5V @ 1mA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 800pF @ 10V 285pF @ 10V 6300pF @ 6V 390pF @ 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4A 3.5A 5.5A 6A
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V 4.6nC @ 4.5V 60nC @ 4.5V 20nC @ 10V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Leistung - max 550mW 1.25W 1.25W 550mW
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Grundproduktnummer QS8J4 QS8K2 QS8J13 QS8K13
Supplier Device-Gehäuse TSMT8 TSMT8 TSMT8 TSMT8
Serie - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 30V 12V 30V

QS8J4TR Datenblatt PDF

Laden Sie QS8J4TR PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für QS8J4TR - Rohm Semiconductor herunter.

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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