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QS8K11TCR Image
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QS8K11TCR - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
QS8K11TCR
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-QS8K11TCR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
4V DRIVE NCH+NCH MOSFET
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SMD, Flat Lead
Datenblatt
QS8K11TCR.pdf
RoHS Status
vorrätig: 119310

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Anzahl

Spezifikation

QS8K11TCR Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - QS8K11TCR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - QS8K11TCR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA  
Technologie -  
Supplier Device-Gehäuse TSMT8  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 3.5A, 10V  
Leistung - max 1.5W  
Verpackung / Gehäuse 8-SMD, Flat Lead  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 180pF @ 10V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.3nC @ 5V  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.5A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer QS8K11  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor QS8K11TCR.

Produkteigenschaften QS8K11TCR QS8J2TR QS8K2TR QS8J4TR
Artikelnummer QS8K11TCR QS8J2TR QS8K2TR QS8J4TR
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Leistung - max 1.5W 550mW 1.25W 550mW
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 3.5A, 10V 36mOhm @ 4A, 4.5V 54mOhm @ 3.5A, 4.5V 56mOhm @ 4A, 10V
Supplier Device-Gehäuse TSMT8 TSMT8 TSMT8 TSMT8
Verpackung / Gehäuse 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Grundproduktnummer QS8K11 QS8J2 QS8K2 QS8J4
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 12V 30V 30V
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA 1V @ 1mA 1.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.3nC @ 5V 20nC @ 4.5V 4.6nC @ 4.5V 13nC @ 10V
FET-Merkmal - Logic Level Gate, 1.5V Drive Logic Level Gate Logic Level Gate
Technologie - MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 180pF @ 10V 1940pF @ 6V 285pF @ 10V 800pF @ 10V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.5A 4A 3.5A 4A
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)

QS8K11TCR Datenblatt PDF

Laden Sie QS8K11TCR PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für QS8K11TCR - Rohm Semiconductor herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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