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RQ1A070APTR Image
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RQ1A070APTR - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
RQ1A070APTR
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-RQ1A070APTR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SMD, Flat Lead
Datenblatt
RQ1A070APTR.pdf
RoHS Status
vorrätig: 98810

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Anzahl

Spezifikation

RQ1A070APTR Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - RQ1A070APTR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - RQ1A070APTR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA  
Vgs (Max) -8V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TSMT8  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 7A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 550mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-SMD, Flat Lead  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7800 pF @ 6 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 80 nC @ 4.5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 12 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7A (Ta)  
Grundproduktnummer RQ1A070  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor RQ1A070APTR.

Produkteigenschaften RQ1A070APTR RQ1C065UNTR RQ1A070ZPTR RQ1E070RPTR
Artikelnummer RQ1A070APTR RQ1C065UNTR RQ1A070ZPTR RQ1E070RPTR
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Grundproduktnummer RQ1A070 RQ1C065 RQ1A070 RQ1E070
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7800 pF @ 6 V 870 pF @ 10 V 7400 pF @ 6 V 2700 pF @ 10 V
Supplier Device-Gehäuse TSMT8 TSMT8 TSMT8 TSMT8
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V 1.5V, 4.5V 1.5V, 4.5V 4V, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7A (Ta) 6.5A (Ta) 7A (Ta) 7A (Ta)
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) -8V ±10V ±10V ±20V
Verlustleistung (max) 550mW (Ta) 700mW (Ta) 700mW (Ta) 550mW (Ta)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 12 V 20 V 12 V 30 V
Typ FET P-Channel N-Channel P-Channel P-Channel
Serie - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 7A, 4.5V 22mOhm @ 6.5A, 4.5V 12mOhm @ 7A, 4.5V 17mOhm @ 7A, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA 1V @ 1mA 1V @ 1mA 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 80 nC @ 4.5 V 11 nC @ 4.5 V 58 nC @ 4.5 V 26 nC @ 5 V
Verpackung / Gehäuse 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead

RQ1A070APTR Datenblatt PDF

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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