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RQ1C065UNTR - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
RQ1C065UNTR
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-RQ1C065UNTR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 6.5A TSMT8
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SMD, Flat Lead
Datenblatt
RQ1C065UNTR.pdf
RoHS Status
vorrätig: 111620

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Anzahl

Spezifikation

RQ1C065UNTR Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - RQ1C065UNTR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - RQ1C065UNTR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA  
Vgs (Max) ±10V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TSMT8  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 6.5A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 700mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-SMD, Flat Lead  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 870 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.5A (Ta)  
Grundproduktnummer RQ1C065  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor RQ1C065UNTR.

Produkteigenschaften RQ1C065UNTR RQ1A070APTR RQ1E050RPTR RQ1A070ZPTR
Artikelnummer RQ1C065UNTR RQ1A070APTR RQ1E050RPTR RQ1A070ZPTR
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Verpackung / Gehäuse 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V 1.5V, 4.5V 4V, 10V 1.5V, 4.5V
Verlustleistung (max) 700mW (Ta) 550mW (Ta) 700mW (Ta) 700mW (Ta)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 12 V 30 V 12 V
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA 1V @ 1mA 2.5V @ 1mA 1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 4.5 V 80 nC @ 4.5 V 28 nC @ 10 V 58 nC @ 4.5 V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
FET-Merkmal - - - -
Typ FET N-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Vgs (Max) ±10V -8V ±20V ±10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Supplier Device-Gehäuse TSMT8 TSMT8 TSMT8 TSMT8
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 870 pF @ 10 V 7800 pF @ 6 V 1300 pF @ 10 V 7400 pF @ 6 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 6.5A, 4.5V 14mOhm @ 7A, 4.5V 31mOhm @ 5A, 10V 12mOhm @ 7A, 4.5V
Grundproduktnummer RQ1C065 RQ1A070 RQ1E050 RQ1A070
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.5A (Ta) 7A (Ta) 5A (Ta) 7A (Ta)
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Serie - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

RQ1C065UNTR Datenblatt PDF

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Italien 5
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