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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelRQ1A070ZPTR
RQ1A070ZPTR Image
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RQ1A070ZPTR - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
RQ1A070ZPTR
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-RQ1A070ZPTR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SMD, Flat Lead
Datenblatt
RQ1A070ZPTR.pdf
RoHS Status
vorrätig: 63940

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Anzahl

Spezifikation

RQ1A070ZPTR Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - RQ1A070ZPTR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - RQ1A070ZPTR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA  
Vgs (Max) ±10V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TSMT8  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 7A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 700mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-SMD, Flat Lead  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7400 pF @ 6 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 58 nC @ 4.5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 12 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7A (Ta)  
Grundproduktnummer RQ1A070  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor RQ1A070ZPTR.

Produkteigenschaften RQ1A070ZPTR RQ1E100XNTR RQ1E070RPTR RQ1C075UNTR
Artikelnummer RQ1A070ZPTR RQ1E100XNTR RQ1E070RPTR RQ1C075UNTR
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7A (Ta) 10A (Ta) 7A (Ta) 7.5A (Ta)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 58 nC @ 4.5 V 12.7 nC @ 5 V 26 nC @ 5 V 18 nC @ 4.5 V
Grundproduktnummer RQ1A070 RQ1E100 RQ1E070 RQ1C075
Verlustleistung (max) 700mW (Ta) 550mW (Ta) 550mW (Ta) 700mW (Ta)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7400 pF @ 6 V 1000 pF @ 10 V 2700 pF @ 10 V 1400 pF @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 7A, 4.5V 10.5mOhm @ 10A, 10V 17mOhm @ 7A, 10V 16mOhm @ 7.5A, 4.5V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V 4V, 10V 4V, 10V 1.5V, 4.5V
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA 1V @ 1mA
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±10V ±20V ±20V ±10V
Verpackung / Gehäuse 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead
Supplier Device-Gehäuse TSMT8 TSMT8 TSMT8 TSMT8
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET P-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 12 V 30 V 30 V 20 V

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Rohm Semiconductor
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