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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelRQ1C075UNTR
RQ1C075UNTR Image
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RQ1C075UNTR - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
RQ1C075UNTR
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-RQ1C075UNTR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 7.5A TSMT8
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SMD, Flat Lead
Datenblatt
RQ1C075UNTR.pdf
RoHS Status
vorrätig: 136770

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Spezifikation

RQ1C075UNTR Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - RQ1C075UNTR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - RQ1C075UNTR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA  
Vgs (Max) ±10V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TSMT8  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 7.5A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 700mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-SMD, Flat Lead  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1400 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7.5A (Ta)  
Grundproduktnummer RQ1C075  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor RQ1C075UNTR.

Produkteigenschaften RQ1C075UNTR RQ1A060ZPTR RQ1A070APTR RQ1E070RPTR
Artikelnummer RQ1C075UNTR RQ1A060ZPTR RQ1A070APTR RQ1E070RPTR
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V 1.5V, 4.5V 1.5V, 4.5V 4V, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead
Typ FET N-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7.5A (Ta) 6A (Ta) 7A (Ta) 7A (Ta)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 12 V 12 V 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 4.5 V 34 nC @ 4.5 V 80 nC @ 4.5 V 26 nC @ 5 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1400 pF @ 10 V 2800 pF @ 6 V 7800 pF @ 6 V 2700 pF @ 10 V
Grundproduktnummer RQ1C075 RQ1A060 RQ1A070 RQ1E070
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 7.5A, 4.5V 23mOhm @ 6A, 4.5V 14mOhm @ 7A, 4.5V 17mOhm @ 7A, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA 1V @ 1mA 1V @ 1mA 2.5V @ 1mA
Vgs (Max) ±10V ±10V -8V ±20V
Verlustleistung (max) 700mW (Ta) 700mW (Ta) 550mW (Ta) 550mW (Ta)
Serie - - - -
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse TSMT8 TSMT8 TSMT8 TSMT8

RQ1C075UNTR Datenblatt PDF

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
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