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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelRRF015P03TL
Rohm Semiconductor
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RRF015P03TL - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
RRF015P03TL
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-RRF015P03TL
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 1.5A TUMT3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
3-SMD, Flat Leads
Datenblatt
RRF015P03TL.pdf
RoHS Status
vorrätig: 200730

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Anzahl

Spezifikation

RRF015P03TL Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - RRF015P03TL Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - RRF015P03TL

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TUMT3  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160mOhm @ 1.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 320mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 3-SMD, Flat Leads  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 230 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.4 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.5A (Ta)  
Grundproduktnummer RRF015  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor RRF015P03TL.

Produkteigenschaften RRF015P03TL PMV33UPE,215 STS12NH3LL FDS5170N7
Artikelnummer RRF015P03TL PMV33UPE,215 STS12NH3LL FDS5170N7
Hersteller Rohm Semiconductor NXP Semiconductors STMicroelectronics onsemi
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.5A (Ta) 4.4A (Ta) 12A (Tc) 10.6A (Ta)
Verpackung / Gehäuse 3-SMD, Flat Leads TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Vgs (Max) ±20V ±8V ±16V ±20V
Serie - - STripFET™ PowerTrench®
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 230 pF @ 10 V 1820 pF @ 10 V 965 pF @ 25 V 2889 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.4 nC @ 10 V 22.1 nC @ 4.5 V 12 nC @ 4.5 V 71 nC @ 10 V
FET-Merkmal - - - -
Grundproduktnummer RRF015 - STS12 FDS51
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Supplier Device-Gehäuse TUMT3 SOT-23 8-SOIC 8-SO FLMP
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 1.8V, 4.5V 4.5V, 10V 6V, 10V
Typ FET P-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA 950mV @ 250µA 1V @ 250µA 4V @ 250µA
Verlustleistung (max) 320mW (Ta) 490mW (Ta) 2.7W (Tc) 3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160mOhm @ 1.5A, 10V 36mOhm @ 3A, 4.5V 10.5mOhm @ 6A, 10V 12mOhm @ 10.6A, 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 20 V 30 V 60 V
Betriebstemperatur 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

RRF015P03TL Datenblatt PDF

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Großbritannien 4
Italien 5
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Neuseeland 5
Asien Indien 4
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