Spezifikation
RSR025P03HZGTL Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - RSR025P03HZGTL Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - RSR025P03HZGTL
| Produkteigenschaften |
Eigenschaften
| |
| Hersteller |
LAPIS Technology |
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| VGS (th) (Max) @ Id |
2.5V @ 1mA |
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| Vgs (Max) |
±20V |
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| Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
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| Supplier Device-Gehäuse |
TSMT3 |
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| Serie |
Automotive, AEC-Q101 |
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| Rds On (Max) @ Id, Vgs |
98mOhm @ 2.5A, 10V |
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| Verlustleistung (max) |
700mW (Ta) |
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| Verpackung / Gehäuse |
SC-96 |
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| Paket |
Tape & Reel (TR) |
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| Produkteigenschaften |
Eigenschaften
| |
| Betriebstemperatur |
150°C (TJ) |
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| Befestigungsart |
Surface Mount |
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| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
460 pF @ 10 V |
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| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs |
5.4 nC @ 5 V |
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| Typ FET |
P-Channel |
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| FET-Merkmal |
- |
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| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) |
4V, 10V |
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| Drain-Source-Spannung (Vdss) |
30 V |
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| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C |
2.5A (Ta) |
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| Grundproduktnummer |
RSR025 |
|
Lieferung
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| Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder |
| Region |
Land |
Logistische Zeit (Tag) |
| Amerika |
Vereinigte Staaten |
5 |
| Brasilien |
7 |
| Europa |
Deutschland |
5 |
| Großbritannien |
4 |
| Italien |
5 |
| Ozeanien |
Australien |
6 |
| Neuseeland |
5 |
| Asien |
Indien |
4 |
| Japan |
4 |
| Naher Osten |
Israel |
6 |
| DHL & FedEx -Versandkosten Referenz |
| Versandkosten (KG) |
Referenz DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg |
USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg |
USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg |
USD$50.00 - USD$100.00 |
- Notiz:
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RSR010N10TLRohm SemiconductorMOSFET N-CH 100V 1A TSMT3
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DMPH4013SPSQ-13Diodes IncorporatedMOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
ZDS020N60TBRohm SemiconductorMOSFET N-CH 600V 630MA 8SOP
IRF3707PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 62A TO220AB
AOD444Alpha & Omega Semiconductor Inc.MOSFET N-CH 60V 4A/12A TO252