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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysTT8J21TR
Rohm Semiconductor
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TT8J21TR - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
TT8J21TR
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-TT8J21TR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2P-CH 20V 2.5A TSST8
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SMD, Flat Lead
Datenblatt
TT8J21TR.pdf
RoHS Status
vorrätig: 88660

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Anzahl

Spezifikation

TT8J21TR Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - TT8J21TR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - TT8J21TR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-TSST  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 68mOhm @ 2.5A, 4.5V  
Leistung - max 650mW  
Verpackung / Gehäuse 8-SMD, Flat Lead  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1270pF @ 10V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.5A  
Konfiguration 2 P-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer TT8J21  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor TT8J21TR.

Produkteigenschaften TT8J21TR TT8J11TCR TT8J2TR TT8M3TR
Artikelnummer TT8J21TR TT8J11TCR TT8J2TR TT8M3TR
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 4.5V 22nC @ 4.5V 4.8nC @ 5V 3.6nC @ 4.5V
Leistung - max 650mW 650mW 1.25W 1W
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA 1V @ 1mA 2.5V @ 1mA 1V @ 1mA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V 12V 30V 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 68mOhm @ 2.5A, 4.5V 43mOhm @ 3.5A, 4.5V 84mOhm @ 2.5A, 10V 72mOhm @ 2.5A, 4.5V
Grundproduktnummer TT8J21 TT8J11 TT8 TT8M3
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) N and P-Channel
Serie - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1270pF @ 10V 2600pF @ 6V 460pF @ 10V 260pF @ 10V
Supplier Device-Gehäuse 8-TSST 8-TSST 8-TSST 8-TSST
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate, 1.5V Drive Logic Level Gate Logic Level Gate, 1.5V Drive
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.5A 3.5A 2.5A 2.5A, 2.4A
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

TT8J21TR Datenblatt PDF

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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