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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysTT8M3TR
Rohm Semiconductor
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TT8M3TR - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
TT8M3TR
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-TT8M3TR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N/P-CH 20V 2.5A TSST8
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SMD, Flat Lead
Datenblatt
TT8M3 ~.pdf
RoHS Status
vorrätig: 238690

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Anzahl

Spezifikation

TT8M3TR Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - TT8M3TR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - TT8M3TR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-TSST  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 72mOhm @ 2.5A, 4.5V  
Leistung - max 1W  
Verpackung / Gehäuse 8-SMD, Flat Lead  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 260pF @ 10V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.6nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate, 1.5V Drive  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.5A, 2.4A  
Konfiguration N and P-Channel  
Grundproduktnummer TT8M3  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor TT8M3TR.

Produkteigenschaften TT8M3TR TT8J2TR TT8J11TCR TT8M1TR
Artikelnummer TT8M3TR TT8J2TR TT8J11TCR TT8M1TR
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
FET-Merkmal Logic Level Gate, 1.5V Drive Logic Level Gate Logic Level Gate, 1.5V Drive Logic Level Gate, 1.5V Drive
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 260pF @ 10V 460pF @ 10V 2600pF @ 6V 260pF @ 10V
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA 2.5V @ 1mA 1V @ 1mA 1V @ 1mA
Konfiguration N and P-Channel 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) N and P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verpackung / Gehäuse 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead
Supplier Device-Gehäuse 8-TSST 8-TSST 8-TSST 8-TSST
Leistung - max 1W 1.25W 650mW 1W
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Grundproduktnummer TT8M3 TT8 TT8J11 TT8M1
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.6nC @ 4.5V 4.8nC @ 5V 22nC @ 4.5V 3.6nC @ 4.5V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.5A, 2.4A 2.5A 3.5A 2.5A
Serie - - - -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V 30V 12V 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 72mOhm @ 2.5A, 4.5V 84mOhm @ 2.5A, 10V 43mOhm @ 3.5A, 4.5V 72mOhm @ 2.5A, 4.5V

TT8M3TR Datenblatt PDF

Laden Sie TT8M3TR PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für TT8M3TR - Rohm Semiconductor herunter.

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TT8M3 ~.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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