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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysTT8M1TR
Rohm Semiconductor
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TT8M1TR - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
TT8M1TR
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-TT8M1TR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N/P-CH 20V 2.5A TSST8
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SMD, Flat Lead
Datenblatt
TT8M1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 215990

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Anzahl

Spezifikation

TT8M1TR Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - TT8M1TR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - TT8M1TR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-TSST  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 72mOhm @ 2.5A, 4.5V  
Leistung - max 1W  
Verpackung / Gehäuse 8-SMD, Flat Lead  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 260pF @ 10V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.6nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate, 1.5V Drive  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.5A  
Konfiguration N and P-Channel  
Grundproduktnummer TT8M1  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor TT8M1TR.

Produkteigenschaften TT8M1TR TT8J21TR TT8J11TCR TT8J2TR
Artikelnummer TT8M1TR TT8J21TR TT8J11TCR TT8J2TR
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Rds On (Max) @ Id, Vgs 72mOhm @ 2.5A, 4.5V 68mOhm @ 2.5A, 4.5V 43mOhm @ 3.5A, 4.5V 84mOhm @ 2.5A, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA 1V @ 1mA 1V @ 1mA 2.5V @ 1mA
Verpackung / Gehäuse 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse 8-TSST 8-TSST 8-TSST 8-TSST
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 260pF @ 10V 1270pF @ 10V 2600pF @ 6V 460pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.6nC @ 4.5V 12nC @ 4.5V 22nC @ 4.5V 4.8nC @ 5V
Serie - - - -
Konfiguration N and P-Channel 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.5A 2.5A 3.5A 2.5A
FET-Merkmal Logic Level Gate, 1.5V Drive Logic Level Gate Logic Level Gate, 1.5V Drive Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V 20V 12V 30V
Leistung - max 1W 650mW 650mW 1.25W
Grundproduktnummer TT8M1 TT8J21 TT8J11 TT8
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

TT8M1TR Datenblatt PDF

Laden Sie TT8M1TR PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für TT8M1TR - Rohm Semiconductor herunter.

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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