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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelTT8U1TR
Rohm Semiconductor
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TT8U1TR - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
TT8U1TR
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-TT8U1TR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 2.4A 8TSST
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SMD, Flat Lead
Datenblatt
TT8U1TR.pdf
RoHS Status
vorrätig: 120690

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Anzahl

Spezifikation

TT8U1TR Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - TT8U1TR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - TT8U1TR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA  
Vgs (Max) ±10V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-TSST  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 105mOhm @ 2.4A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 1.25W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-SMD, Flat Lead  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 850 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.7 nC @ 4.5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal Schottky Diode (Isolated)  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.4A (Ta)  
Grundproduktnummer TT8U1  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor TT8U1TR.

Produkteigenschaften TT8U1TR TT8U2TR TT8J21/TR TT8J11TCR
Artikelnummer TT8U1TR TT8U2TR TT8J21/TR TT8J11TCR
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor LAPIS Technology Rohm Semiconductor
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.7 nC @ 4.5 V 6.7 nC @ 4.5 V - 22nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 105mOhm @ 2.4A, 4.5V 105mOhm @ 2.4A, 4.5V - 43mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs (Max) ±10V ±10V - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.4A (Ta) 2.4A (Ta) - 3.5A
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount - Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 850 pF @ 10 V 850 pF @ 10 V - 2600pF @ 6V
Typ FET P-Channel P-Channel - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V 1.5V, 4.5V - -
Grundproduktnummer TT8U1 TT8U2 - TT8J11
FET-Merkmal Schottky Diode (Isolated) Schottky Diode (Isolated) - Logic Level Gate, 1.5V Drive
Supplier Device-Gehäuse 8-TSST 8-TSST - 8-TSST
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead - 8-SMD, Flat Lead
Verlustleistung (max) 1.25W (Ta) 1.25W (Ta) - -
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA 1V @ 1mA - 1V @ 1mA
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) - 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 20 V - 12V
Serie - - - -

TT8U1TR Datenblatt PDF

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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