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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelCSD17312Q5
Texas Instruments
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

CSD17312Q5 - Texas Instruments

Hersteller Artikelnummer
CSD17312Q5
Hersteller
Texas Instruments
Allelco Artikelnummer
32D-CSD17312Q5
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 38A/100A 8VSON
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN
Datenblatt
CSD17312Q5.pdf
RoHS Status
vorrätig: 25013

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Anzahl

Spezifikation

CSD17312Q5 Tech -Spezifikationen
Texas Instruments - CSD17312Q5 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments - CSD17312Q5

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Texas Instruments  
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
Vgs (Max) +10V, -8V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-VSON-CLIP (5x6)  
Serie NexFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5mOhm @ 35A, 8V  
Verlustleistung (max) 3.2W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5240 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 3V, 8V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 38A (Ta), 100A (Tc)  
Grundproduktnummer CSD17312  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Texas Instruments CSD17312Q5.

Produkteigenschaften CSD17312Q5 CSD17310Q5A CSD17381F4T CSD17382F4
Artikelnummer CSD17312Q5 CSD17310Q5A CSD17381F4T CSD17382F4
Hersteller Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 38A (Ta), 100A (Tc) 21A (Ta), 100A (Tc) 3.1A (Ta) 2.3A (Ta)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5240 pF @ 15 V 1560 pF @ 15 V 195 pF @ 15 V 347 pF @ 15 V
Supplier Device-Gehäuse 8-VSON-CLIP (5x6) 8-VSONP (5x6) 3-PICOSTAR 3-PICOSTAR
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5mOhm @ 35A, 8V 5.1mOhm @ 20A, 8V 109mOhm @ 500mA, 8V 64mOhm @ 500mA, 8V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1.8V @ 250µA 1.1V @ 250µA 1.2V @ 250µA
Serie NexFET™ NexFET™ FemtoFET™ FemtoFET™
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 3-XFDFN 3-XFDFN
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36 nC @ 4.5 V 11.6 nC @ 4.5 V 1.35 nC @ 4.5 V 2.7 nC @ 4.5 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 3V, 8V 3V, 8V 1.8V, 4.5V 1.8V, 8V
Verlustleistung (max) 3.2W (Ta) 3.1W (Ta) 500mW (Ta) 500mW (Ta)
Grundproduktnummer CSD17312 CSD17310 CSD17381 CSD17382
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) +10V, -8V +10V, -8V 12V 10V

CSD17312Q5 Datenblatt PDF

Laden Sie CSD17312Q5 PDF -Datenblätter und Texas Instruments -Dokumentation für CSD17312Q5 - Texas Instruments herunter.

PCN -Design/Spezifikation
Qualification Revision A 01/Jul/2014.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly/Test Site Revision C 09/Feb/2015.pdf
PCN -Verpackung
MSL1 Bubble Bag Conversion 24/Sep/2013.pdf

Lieferung

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
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Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Asien Indien 4
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DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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