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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelCSD17382F4
Texas Instruments
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CSD17382F4 - Texas Instruments

Hersteller Artikelnummer
CSD17382F4
Hersteller
Texas Instruments
Allelco Artikelnummer
32D-CSD17382F4
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 2.3A 3PICOSTAR
detaillierte Beschreibung
Verpackung
3-XFDFN
Datenblatt
CSD17382F4.pdf
RoHS Status
vorrätig: 290000

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Anzahl

Spezifikation

CSD17382F4 Tech -Spezifikationen
Texas Instruments - CSD17382F4 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments - CSD17382F4

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Texas Instruments  
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA  
Vgs (Max) 10V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 3-PICOSTAR  
Serie FemtoFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 64mOhm @ 500mA, 8V  
Verlustleistung (max) 500mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 3-XFDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 347 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.7 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 8V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.3A (Ta)  
Grundproduktnummer CSD17382  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Texas Instruments CSD17382F4.

Produkteigenschaften CSD17382F4 CSD17505Q5A CSD17484F4 CSD17382F4T
Artikelnummer CSD17382F4 CSD17505Q5A CSD17484F4 CSD17382F4T
Hersteller Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse 3-PICOSTAR 8-VSONP (5x6) 3-PICOSTAR 3-PICOSTAR
Verpackung / Gehäuse 3-XFDFN 8-PowerTDFN 3-XFDFN 3-XFDFN
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 347 pF @ 15 V 1980 pF @ 15 V 195 pF @ 15 V 347 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.7 nC @ 4.5 V 13 nC @ 4.5 V 1.2 nC @ 4.5 V 2.7 nC @ 4.5 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 8V 4.5V, 10V 1.8V, 8V 1.8V, 8V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verlustleistung (max) 500mW (Ta) 3.2W (Ta) 500mW (Ta) 500mW (Ta)
Serie FemtoFET™ NexFET™ FemtoFET™ FemtoFET™
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Vgs (Max) 10V ±20V 12V 10V
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA 1.8V @ 250µA 1.1V @ 250µA 1.2V @ 250µA
Grundproduktnummer CSD17382 CSD17505 CSD17484 CSD17382
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.3A (Ta) 24A (Ta), 100A (Tc) 3A (Ta) 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 64mOhm @ 500mA, 8V 3.5mOhm @ 20A, 10V 121mOhm @ 500mA, 8V 64mOhm @ 500mA, 8V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

CSD17382F4 Datenblatt PDF

Laden Sie CSD17382F4 PDF -Datenblätter und Texas Instruments -Dokumentation für CSD17382F4 - Texas Instruments herunter.

PCN -Design/Spezifikation
CSDx 15/Mar/2022.pdf DSBGA/Usip 14/Sep/2016.pdf
PCN -Verpackung
Carrier Tape 28/Aug/2018.pdf

Lieferung

Lieferzeit

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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