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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelCSD17327Q5A
Texas Instruments
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CSD17327Q5A - Texas Instruments

Hersteller Artikelnummer
CSD17327Q5A
Hersteller
Texas Instruments
Allelco Artikelnummer
32D-CSD17327Q5A
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 65A 8VSON
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN
Datenblatt
CSD17327Q5A.pdf
RoHS Status
vorrätig: 114770

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Anzahl

Spezifikation

CSD17327Q5A Tech -Spezifikationen
Texas Instruments - CSD17327Q5A Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments - CSD17327Q5A

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Texas Instruments  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-VSONP (5x6)  
Serie NexFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.2mOhm @ 11A, 8V  
Verlustleistung (max) 3W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 506 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.4 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 8V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 65A (Tc)  
Grundproduktnummer CSD17327  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Texas Instruments CSD17327Q5A.

Produkteigenschaften CSD17327Q5A CSD17382F4 CSD17313Q2Q1 CSD17484F4
Artikelnummer CSD17327Q5A CSD17382F4 CSD17313Q2Q1 CSD17484F4
Hersteller Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
FET-Merkmal - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 1.2V @ 250µA 1.8V @ 250µA 1.1V @ 250µA
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN 3-XFDFN 6-WDFN Exposed Pad 3-XFDFN
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 506 pF @ 15 V 347 pF @ 15 V 340 pF @ 15 V 195 pF @ 15 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse 8-VSONP (5x6) 3-PICOSTAR 6-WSON (2x2) 3-PICOSTAR
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 8V 1.8V, 8V 3V, 8V 1.8V, 8V
Grundproduktnummer CSD17327 CSD17382 CSD17313 CSD17484
Verlustleistung (max) 3W (Ta) 500mW (Ta) 2.3W (Ta) 500mW (Ta)
Vgs (Max) ±10V 10V +10V, -8V 12V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.4 nC @ 4.5 V 2.7 nC @ 4.5 V 2.7 nC @ 4.5 V 1.2 nC @ 4.5 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 65A (Tc) 2.3A (Ta) 5A (Tc) 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.2mOhm @ 11A, 8V 64mOhm @ 500mA, 8V 30mOhm @ 4A, 8V 121mOhm @ 500mA, 8V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Serie NexFET™ FemtoFET™ Automotive, AEC-Q100, NexFET™ FemtoFET™
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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