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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelCSD17322Q5A
Texas Instruments
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CSD17322Q5A - Texas Instruments

Hersteller Artikelnummer
CSD17322Q5A
Hersteller
Texas Instruments
Allelco Artikelnummer
32D-CSD17322Q5A
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 87A 8VSON
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN
Datenblatt
CSD17322Q5A.pdf
RoHS Status
vorrätig: 115430

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Anzahl

Spezifikation

CSD17322Q5A Tech -Spezifikationen
Texas Instruments - CSD17322Q5A Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments - CSD17322Q5A

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Texas Instruments  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-VSONP (5x6)  
Serie NexFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.8mOhm @ 14A, 8V  
Verlustleistung (max) 3W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 695 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.3 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 8V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 87A (Tc)  
Grundproduktnummer CSD17322  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Texas Instruments CSD17322Q5A.

Produkteigenschaften CSD17322Q5A CSD17311Q5 CSD17501Q5A CSD17318Q2
Artikelnummer CSD17322Q5A CSD17311Q5 CSD17501Q5A CSD17318Q2
Hersteller Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Vgs (Max) ±10V +10V, -8V ±20V ±10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 695 pF @ 15 V 4280 pF @ 15 V 2630 pF @ 15 V 879 pF @ 15 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse 8-VSONP (5x6) 8-VSON-CLIP (5x6) 8-VSONP (5x6) 6-WSON (2x2)
Grundproduktnummer CSD17322 CSD17311 CSD17501 CSD17318
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.3 nC @ 4.5 V 31 nC @ 4.5 V 17 nC @ 4.5 V 6 nC @ 4.5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.8mOhm @ 14A, 8V 2mOhm @ 30A, 8V 2.9mOhm @ 25A, 10V 15.1mOhm @ 8A, 8V
Verlustleistung (max) 3W (Ta) 3.2W (Ta) 3.2W (Ta) 16W (Tc)
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 6-WDFN Exposed Pad
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 8V 3V, 8V 4.5V, 10V 2.5V, 8V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Serie NexFET™ NexFET™ NexFET™ NexFET™
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 87A (Tc) 32A (Ta), 100A (Tc) 100A (Tc) 25A (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 1.6V @ 250µA 1.8V @ 250µA 1.2V @ 250µA
FET-Merkmal - - - -

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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