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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelCSD17483F4
Texas Instruments
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CSD17483F4 - Texas Instruments

Hersteller Artikelnummer
CSD17483F4
Hersteller
Texas Instruments
Allelco Artikelnummer
32D-CSD17483F4
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 1.5A 3PICOSTAR
detaillierte Beschreibung
Verpackung
3-XFDFN
Datenblatt
CSD17483F4.pdf
RoHS Status
vorrätig: 421850

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Anzahl

Spezifikation

CSD17483F4 Tech -Spezifikationen
Texas Instruments - CSD17483F4 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments - CSD17483F4

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Texas Instruments  
VGS (th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA  
Vgs (Max) 12V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 3-PICOSTAR  
Serie NexFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 240mOhm @ 500mA, 8V  
Verlustleistung (max) 500mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 3-XFDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 190 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.3 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.5A (Ta)  
Grundproduktnummer CSD17483  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Texas Instruments CSD17483F4.

Produkteigenschaften CSD17483F4 CSD17382F4 CSD17313Q2T CSD17318Q2T
Artikelnummer CSD17483F4 CSD17382F4 CSD17313Q2T CSD17318Q2T
Hersteller Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Serie NexFET™ FemtoFET™ NexFET™ NexFET™
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Verpackung / Gehäuse 3-XFDFN 3-XFDFN 6-WDFN Exposed Pad 6-WDFN Exposed Pad
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 500mW (Ta) 500mW (Ta) 2.4W (Ta), 17W (Tc) 16W (Tc)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 190 pF @ 15 V 347 pF @ 15 V 340 pF @ 15 V 879 pF @ 15 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V 1.8V, 8V 3V, 8V 2.5V, 8V
Supplier Device-Gehäuse 3-PICOSTAR 3-PICOSTAR 6-WSON (2x2) 6-WSON (2x2)
Grundproduktnummer CSD17483 CSD17382 CSD17313 CSD17318
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.3 nC @ 4.5 V 2.7 nC @ 4.5 V 2.7 nC @ 4.5 V 6 nC @ 4.5 V
VGS (th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA 1.2V @ 250µA 1.8V @ 250µA 1.2V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 240mOhm @ 500mA, 8V 64mOhm @ 500mA, 8V 30mOhm @ 4A, 8V 15.1mOhm @ 8A, 8V
Vgs (Max) 12V 10V +10V, -8V ±10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.5A (Ta) 2.3A (Ta) 5A (Ta) 25A (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

CSD17483F4 Datenblatt PDF

Laden Sie CSD17483F4 PDF -Datenblätter und Texas Instruments -Dokumentation für CSD17483F4 - Texas Instruments herunter.

PCN -Design/Spezifikation
CSDx 15/Mar/2022.pdf DSBGA/Usip 14/Sep/2016.pdf
PCN -Verpackung
Carrier Tape 28/Aug/2018.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly/Test Site Transfer 19/Dec/2014.pdf

Lieferung

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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