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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelCSD18501Q5A
Texas Instruments
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CSD18501Q5A - Texas Instruments

Hersteller Artikelnummer
CSD18501Q5A
Hersteller
Texas Instruments
Allelco Artikelnummer
32D-CSD18501Q5A
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 22A/100A 8VSON
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN
Datenblatt
CSD18501Q5A.pdf
RoHS Status
vorrätig: 52530

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Anzahl

Spezifikation

CSD18501Q5A Tech -Spezifikationen
Texas Instruments - CSD18501Q5A Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments - CSD18501Q5A

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Texas Instruments  
VGS (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-VSONP (5x6)  
Serie NexFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.2mOhm @ 25A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.1W (Ta), 150W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3840 pF @ 20 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 22A (Ta), 100A (Tc)  
Grundproduktnummer CSD18501  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Texas Instruments CSD18501Q5A.

Produkteigenschaften CSD18501Q5A CSD18503Q5A CSD17585F5 CSD17581Q3AT
Artikelnummer CSD18501Q5A CSD18503Q5A CSD17585F5 CSD17581Q3AT
Hersteller Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 22A (Ta), 100A (Tc) 19A (Ta), 100A (Tc) 5.9A (Ta) 60A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V 20V ±20V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3840 pF @ 20 V 2640 pF @ 20 V 380 pF @ 15 V 3640 pF @ 15 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Grundproduktnummer CSD18501 CSD18503 CSD17585 CSD17581
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 3-SMD, No Lead 8-PowerVDFN
VGS (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA 2.3V @ 250µA 1.7V @ 250µA 1.7V @ 250µA
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verlustleistung (max) 3.1W (Ta), 150W (Tc) 3.1W (Ta), 120W (Tc) 500mW (Ta) 2.8W (Ta), 63W (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V 32 nC @ 10 V 5.1 nC @ 10 V 54 nC @ 10 V
Serie NexFET™ NexFET™ FemtoFET™ NexFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.2mOhm @ 25A, 10V 4.3mOhm @ 22A, 10V 27mOhm @ 900mA, 10V 3.8mOhm @ 16A, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 40 V 30 V 30 V
FET-Merkmal - - - -
Supplier Device-Gehäuse 8-VSONP (5x6) 8-VSONP (5x6) 3-PICOSTAR 8-VSONP (3x3.3)

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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