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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelCSD18502KCS
CSD18502KCS Image
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CSD18502KCS - Texas Instruments

Hersteller Artikelnummer
CSD18502KCS
Hersteller
Texas Instruments
Allelco Artikelnummer
32D-CSD18502KCS
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
CSD18502KCS.pdf
RoHS Status
vorrätig: 37720

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Anzahl

Spezifikation

CSD18502KCS Tech -Spezifikationen
Texas Instruments - CSD18502KCS Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments - CSD18502KCS

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Texas Instruments  
VGS (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3  
Serie NexFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.9mOhm @ 100A, 10V  
Verlustleistung (max) 259W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4680 pF @ 20 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 62 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100A (Tc)  
Grundproduktnummer CSD18502  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Texas Instruments CSD18502KCS.

Produkteigenschaften CSD18502KCS CSD17581Q5AT CSD17581Q5A CSD18502Q5B
Artikelnummer CSD18502KCS CSD17581Q5AT CSD17581Q5A CSD18502Q5B
Hersteller Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
VGS (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA 1.7V @ 250µA 1.7V @ 250µA 2.2V @ 250µA
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4680 pF @ 20 V 3640 pF @ 15 V 3640 pF @ 15 V 5070 pF @ 20 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal - - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 155°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100A (Tc) 24A (Ta), 123A (Tc) 24A (Ta), 123A (Tc) 26A (Ta), 100A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 62 nC @ 10 V 54 nC @ 10 V 54 nC @ 10 V 68 nC @ 10 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 30 V 30 V 40 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.9mOhm @ 100A, 10V 3.4mOhm @ 16A, 10V 3.4mOhm @ 16A, 10V 2.3mOhm @ 30A, 10V
Serie NexFET™ NexFET™ NexFET™ NexFET™
Grundproduktnummer CSD18502 CSD17581 CSD17581 CSD18502
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 8-VSONP (5x6) 8-VSONP (5x6) 8-VSON-CLIP (5x6)
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Verlustleistung (max) 259W (Tc) 3.1W (Ta), 83W (Tc) 3.1W (Ta), 83W (Tc) 3.2W (Ta), 156W (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN

CSD18502KCS Datenblatt PDF

Laden Sie CSD18502KCS PDF -Datenblätter und Texas Instruments -Dokumentation für CSD18502KCS - Texas Instruments herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
Site Chg 25/Jan/2016.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Texas Instruments
32D-CSD18502KCS

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