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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelCSD18503KCS
CSD18503KCS Image
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CSD18503KCS - Texas Instruments

Hersteller Artikelnummer
CSD18503KCS
Hersteller
Texas Instruments
Allelco Artikelnummer
32D-CSD18503KCS
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
CSD18503KCS.pdf
RoHS Status
vorrätig: 52550

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Spezifikation

CSD18503KCS Tech -Spezifikationen
Texas Instruments - CSD18503KCS Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments - CSD18503KCS

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Texas Instruments  
VGS (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3  
Serie NexFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 75A, 10V  
Verlustleistung (max) 188W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3150 pF @ 20 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100A (Tc)  
Grundproduktnummer CSD18503  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Texas Instruments CSD18503KCS.

Produkteigenschaften CSD18503KCS CSD18501Q5A CSD18510KCS CSD17581Q5AT
Artikelnummer CSD18503KCS CSD18501Q5A CSD18510KCS CSD17581Q5AT
Hersteller Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 75A, 10V 3.2mOhm @ 25A, 10V 1.7mOhm @ 100A, 10V 3.4mOhm @ 16A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36 nC @ 10 V 50 nC @ 10 V 75 nC @ 4.5 V 54 nC @ 10 V
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Through Hole Surface Mount
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Verlustleistung (max) 188W (Tc) 3.1W (Ta), 150W (Tc) 250W (Ta) 3.1W (Ta), 83W (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 40 V 40 V 30 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100A (Tc) 22A (Ta), 100A (Tc) 200A (Ta) 24A (Ta), 123A (Tc)
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 8-VSONP (5x6) TO-220-3 8-VSONP (5x6)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Grundproduktnummer CSD18503 CSD18501 CSD18510 CSD17581
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 8-PowerTDFN TO-220-3 8-PowerTDFN
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA 2.3V @ 250µA 2.3V @ 250µA 1.7V @ 250µA
Serie NexFET™ NexFET™ NexFET™ NexFET™
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3150 pF @ 20 V 3840 pF @ 20 V 11400 pF @ 20 V 3640 pF @ 15 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
FET-Merkmal - - - -

CSD18503KCS Datenblatt PDF

Laden Sie CSD18503KCS PDF -Datenblätter und Texas Instruments -Dokumentation für CSD18503KCS - Texas Instruments herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
Site Chg 25/Jan/2016.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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