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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelCSD18504Q5A
Texas Instruments
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CSD18504Q5A - Texas Instruments

Hersteller Artikelnummer
CSD18504Q5A
Hersteller
Texas Instruments
Allelco Artikelnummer
32D-CSD18504Q5A
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 15A/50A 8VSON
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN
Datenblatt
CSD18504Q5A.pdf
RoHS Status
vorrätig: 70260

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Anzahl

Spezifikation

CSD18504Q5A Tech -Spezifikationen
Texas Instruments - CSD18504Q5A Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments - CSD18504Q5A

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Texas Instruments  
VGS (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-VSONP (5x6)  
Serie NexFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.6mOhm @ 17A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.1W (Ta), 77W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1656 pF @ 20 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 15A (Ta), 50A (Tc)  
Grundproduktnummer CSD18504  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Texas Instruments CSD18504Q5A.

Produkteigenschaften CSD18504Q5A CSD18502KCS CSD18511KTT CSD18510KCS
Artikelnummer CSD18504Q5A CSD18502KCS CSD18511KTT CSD18510KCS
Hersteller Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
VGS (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA 2.1V @ 250µA 2.4V @ 250µA 2.3V @ 250µA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 15A (Ta), 50A (Tc) 100A (Tc) 194A (Ta) 200A (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Surface Mount Through Hole
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Grundproduktnummer CSD18504 CSD18502 CSD18511 CSD18510
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie NexFET™ NexFET™ NexFET™ NexFET™
Paket Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tube
Verlustleistung (max) 3.1W (Ta), 77W (Tc) 259W (Tc) 188W (Ta) 250W (Ta)
Supplier Device-Gehäuse 8-VSONP (5x6) TO-220-3 DDPAK/TO-263-3 TO-220-3
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 40 V 40 V 40 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1656 pF @ 20 V 4680 pF @ 20 V 5940 pF @ 20 V 11400 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 10 V 62 nC @ 10 V 64 nC @ 10 V 75 nC @ 4.5 V
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.6mOhm @ 17A, 10V 2.9mOhm @ 100A, 10V 2.6mOhm @ 100A, 10V 1.7mOhm @ 100A, 10V
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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