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CSD75205W1015 Image
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CSD75205W1015 - Texas Instruments

Hersteller Artikelnummer
CSD75205W1015
Hersteller
Texas Instruments
Allelco Artikelnummer
32D-CSD75205W1015
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2P-CH 20V 1.2A 6DSBGA
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-UFBGA, DSBGA
Datenblatt
CSD75205W1015.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4770

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Anzahl

Spezifikation

CSD75205W1015 Tech -Spezifikationen
Texas Instruments - CSD75205W1015 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments - CSD75205W1015

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Texas Instruments  
VGS (th) (Max) @ Id 850mV @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 6-DSBGA (1x1.5)  
Serie NexFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 1A, 4.5V  
Leistung - max 750mW  
Verpackung / Gehäuse 6-UFBGA, DSBGA  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 265pF @ 10V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.2nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.2A  
Konfiguration 2 P-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer CSD75205  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Texas Instruments CSD75205W1015.

Produkteigenschaften CSD75205W1015 CSD83325LT CSD75211W1723 CSD75207W15
Artikelnummer CSD75205W1015 CSD83325LT CSD75211W1723 CSD75207W15
Hersteller Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.2A - 4.5A 3.9A
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Leistung - max 750mW 2.3W 1.5W 700mW
Konfiguration 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) Common Source
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
VGS (th) (Max) @ Id 850mV @ 250µA 1.25V @ 250µA 1.1V @ 250µA 1.1V @ 250µA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 265pF @ 10V - 600pF @ 10V 595pF @ 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V 12V 20V -
Verpackung / Gehäuse 6-UFBGA, DSBGA 6-XFBGA 12-UFBGA, DSBGA 9-UFBGA, DSBGA
Supplier Device-Gehäuse 6-DSBGA (1x1.5) 6-PicoStar 12-DSBGA 9-DSBGA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.2nC @ 4.5V 10.9nC @ 4.5V 5.9nC @ 4.5V 3.7nC @ 4.5V
Serie NexFET™ NexFET™ NexFET™ NexFET™
Grundproduktnummer CSD75205 CSD83325 CSD75211 CSD75207
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 1A, 4.5V - 40mOhm @ 2A, 4.5V 162mOhm @ 1A, 1.8V
FET-Merkmal Logic Level Gate - Logic Level Gate Logic Level Gate

CSD75205W1015 Datenblatt PDF

Laden Sie CSD75205W1015 PDF -Datenblätter und Texas Instruments -Dokumentation für CSD75205W1015 - Texas Instruments herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 20/Feb/2014.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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