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CSD75207W15 Image
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CSD75207W15 - Texas Instruments

Hersteller Artikelnummer
CSD75207W15
Hersteller
Texas Instruments
Allelco Artikelnummer
32D-CSD75207W15
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2P-CH 3.9A 9DSBGA
detaillierte Beschreibung
Verpackung
9-UFBGA, DSBGA
Datenblatt
CSD75207W15.pdf
RoHS Status
vorrätig: 164590

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Anzahl

Spezifikation

CSD75207W15 Tech -Spezifikationen
Texas Instruments - CSD75207W15 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments - CSD75207W15

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Texas Instruments  
VGS (th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 9-DSBGA  
Serie NexFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 162mOhm @ 1A, 1.8V  
Leistung - max 700mW  
Verpackung / Gehäuse 9-UFBGA, DSBGA  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 595pF @ 10V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.7nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) -  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.9A  
Konfiguration 2 P-Channel (Dual) Common Source  
Grundproduktnummer CSD75207  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Texas Instruments CSD75207W15.

Produkteigenschaften CSD75207W15 CSD75205W1015 CSD75211W1723 CSD75301W1015
Artikelnummer CSD75207W15 CSD75205W1015 CSD75211W1723 CSD75301W1015
Hersteller Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Leistung - max 700mW 750mW 1.5W 800mW
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.9A 1.2A 4.5A 1.2A
VGS (th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA 850mV @ 250µA 1.1V @ 250µA 1V @ 250µA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 595pF @ 10V 265pF @ 10V 600pF @ 10V 195pF @ 10V
Serie NexFET™ NexFET™ NexFET™ NexFET™
Konfiguration 2 P-Channel (Dual) Common Source 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse 9-DSBGA 6-DSBGA (1x1.5) 12-DSBGA 6-DSBGA (1x1.5)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 162mOhm @ 1A, 1.8V 120mOhm @ 1A, 4.5V 40mOhm @ 2A, 4.5V 100mOhm @ 1A, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss) - 20V 20V 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.7nC @ 4.5V 2.2nC @ 4.5V 5.9nC @ 4.5V 2.1nC @ 4.5V
Verpackung / Gehäuse 9-UFBGA, DSBGA 6-UFBGA, DSBGA 12-UFBGA, DSBGA 6-UFBGA, DSBGA
Grundproduktnummer CSD75207 CSD75205 CSD75211 CSD75301

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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