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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysCSD85301Q2
Texas Instruments
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CSD85301Q2 - Texas Instruments

Hersteller Artikelnummer
CSD85301Q2
Hersteller
Texas Instruments
Allelco Artikelnummer
32D-CSD85301Q2
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-WDFN Exposed Pad
Datenblatt
CSD85301Q2.pdf
RoHS Status
vorrätig: 127950

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Anzahl

Spezifikation

CSD85301Q2 Tech -Spezifikationen
Texas Instruments - CSD85301Q2 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments - CSD85301Q2

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Texas Instruments  
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 6-WSON (2x2)  
Serie NexFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 27mOhm @ 5A, 4.5V  
Leistung - max 2.3W  
Verpackung / Gehäuse 6-WDFN Exposed Pad  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 469pF @ 10V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.4nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate, 5V Drive  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer CSD85301  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Texas Instruments CSD85301Q2.

Produkteigenschaften CSD85301Q2 CSD86360Q5D CSD75208W1015 CSD75211W1723
Artikelnummer CSD85301Q2 CSD86360Q5D CSD75208W1015 CSD75211W1723
Hersteller Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.4nC @ 4.5V 12.6nC @ 4.5V 2.5nC @ 4.5V 5.9nC @ 4.5V
Leistung - max 2.3W 13W 750mW 1.5W
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Half Bridge) 2 P-Channel (Dual) Common Source 2 P-Channel (Dual)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V 25V 20V 20V
Verpackung / Gehäuse 6-WDFN Exposed Pad 8-PowerLDFN 6-UFBGA, DSBGA 12-UFBGA, DSBGA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5A 50A 1.6A 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 27mOhm @ 5A, 4.5V - 68mOhm @ 1A, 4.5V 40mOhm @ 2A, 4.5V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Grundproduktnummer CSD85301 CSD86360Q5 CSD75208 CSD75211
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 469pF @ 10V 2060pF @ 12.5 410pF @ 10V 600pF @ 10V
Supplier Device-Gehäuse 6-WSON (2x2) 8-LSON (5x6) 6-DSBGA (1x1.5) 12-DSBGA
FET-Merkmal Logic Level Gate, 5V Drive Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA 2.1V @ 250µA 1.1V @ 250µA 1.1V @ 250µA
Serie NexFET™ NexFET™ NexFET™ NexFET™

CSD85301Q2 Datenblatt PDF

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PCN -Baugruppe/Herkunft
CSDYYY 01/Feb/2019.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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