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CSD75208W1015 - Texas Instruments

Hersteller Artikelnummer
CSD75208W1015
Hersteller
Texas Instruments
Allelco Artikelnummer
32D-CSD75208W1015
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6WLP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-UFBGA, DSBGA
Datenblatt
CSD75208W1015.pdf
RoHS Status
vorrätig: 158960

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Anzahl

Spezifikation

CSD75208W1015 Tech -Spezifikationen
Texas Instruments - CSD75208W1015 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments - CSD75208W1015

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Texas Instruments  
VGS (th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 6-DSBGA (1x1.5)  
Serie NexFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 68mOhm @ 1A, 4.5V  
Leistung - max 750mW  
Verpackung / Gehäuse 6-UFBGA, DSBGA  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 410pF @ 10V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.5nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.6A  
Konfiguration 2 P-Channel (Dual) Common Source  
Grundproduktnummer CSD75208  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Texas Instruments CSD75208W1015.

Produkteigenschaften CSD75208W1015 CSD85312Q3E CSD75301W1015 CSD75211W1723
Artikelnummer CSD75208W1015 CSD85312Q3E CSD75301W1015 CSD75211W1723
Hersteller Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.5nC @ 4.5V 15.2nC @ 4.5V 2.1nC @ 4.5V 5.9nC @ 4.5V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 68mOhm @ 1A, 4.5V 12.4mOhm @ 10A, 8V 100mOhm @ 1A, 4.5V 40mOhm @ 2A, 4.5V
VGS (th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA 1.4V @ 250µA 1V @ 250µA 1.1V @ 250µA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V 20V 20V 20V
Supplier Device-Gehäuse 6-DSBGA (1x1.5) 8-VSON (3.3x3.3) 6-DSBGA (1x1.5) 12-DSBGA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse 6-UFBGA, DSBGA 8-PowerVDFN 6-UFBGA, DSBGA 12-UFBGA, DSBGA
Konfiguration 2 P-Channel (Dual) Common Source 2 N-Channel (Dual) Common Source 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 410pF @ 10V 2390pF @ 10V 195pF @ 10V 600pF @ 10V
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate, 5V Drive Logic Level Gate Logic Level Gate
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Leistung - max 750mW 2.5W 800mW 1.5W
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.6A 39A 1.2A 4.5A
Grundproduktnummer CSD75208 CSD85312 CSD75301 CSD75211
Serie NexFET™ NexFET™ NexFET™ NexFET™

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Texas Instruments
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