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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysCSD86311W1723
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CSD86311W1723 - Texas Instruments

Hersteller Artikelnummer
CSD86311W1723
Hersteller
Texas Instruments
Allelco Artikelnummer
32D-CSD86311W1723
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA
detaillierte Beschreibung
Verpackung
12-UFBGA, DSBGA
Datenblatt
CSD86311W1723.pdf
RoHS Status
vorrätig: 79630

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Anzahl

Spezifikation

CSD86311W1723 Tech -Spezifikationen
Texas Instruments - CSD86311W1723 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments - CSD86311W1723

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Texas Instruments  
VGS (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 12-DSBGA  
Serie NexFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 39mOhm @ 2A, 8V  
Leistung - max 1.5W  
Verpackung / Gehäuse 12-UFBGA, DSBGA  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 585pF @ 12.5V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.5A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer CSD86311  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Texas Instruments CSD86311W1723.

Produkteigenschaften CSD86311W1723 CSD75208W1015 CSD86350Q5DT CSD86330Q3D
Artikelnummer CSD86311W1723 CSD75208W1015 CSD86350Q5DT CSD86330Q3D
Hersteller Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Rds On (Max) @ Id, Vgs 39mOhm @ 2A, 8V 68mOhm @ 1A, 4.5V 5mOhm @ 25A, 5V, 1.1mOhm @ 25A, 5V 9.6mOhm @ 14A, 8V
Grundproduktnummer CSD86311 CSD75208 CSD86350 CSD86330Q3
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate - Logic Level Gate
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.5A 1.6A 40A (Ta) 20A
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) Common Source 2 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Half Bridge)
Supplier Device-Gehäuse 12-DSBGA 6-DSBGA (1x1.5) 8-LSON (5x6) 8-LSON (3.3x3.3)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4nC @ 4.5V 2.5nC @ 4.5V 10.7nC @ 4.5V, 25nC @ 4.5V 6.2nC @ 4.5V
Serie NexFET™ NexFET™ - NexFET™
VGS (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA 1.1V @ 250µA 2.1V @ 250µA, 1.6V @ 250µA 2.1V @ 250µA
Verpackung / Gehäuse 12-UFBGA, DSBGA 6-UFBGA, DSBGA 8-PowerLDFN 8-PowerLDFN
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Leistung - max 1.5W 750mW 13W (Ta) 6W
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 585pF @ 12.5V 410pF @ 10V 1870pF @ 12.5V, 4000pF @ 12.5V 920pF @ 12.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25V 20V 25V 25V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

CSD86311W1723 Datenblatt PDF

Laden Sie CSD86311W1723 PDF -Datenblätter und Texas Instruments -Dokumentation für CSD86311W1723 - Texas Instruments herunter.

PCN -Design/Spezifikation
Mult Dev Marking Chgs 4/Apr/2023.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
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Asien Indien 4
Japan 4
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DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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