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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysCSD86360Q5D
Texas Instruments
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

CSD86360Q5D - Texas Instruments

Hersteller Artikelnummer
CSD86360Q5D
Hersteller
Texas Instruments
Allelco Artikelnummer
32D-CSD86360Q5D
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 25V 50A 8SON
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerLDFN
Datenblatt
CSD86360Q5D.pdf
RoHS Status
vorrätig: 25291

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Anzahl

Spezifikation

CSD86360Q5D Tech -Spezifikationen
Texas Instruments - CSD86360Q5D Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments - CSD86360Q5D

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Texas Instruments  
VGS (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-LSON (5x6)  
Serie NexFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs -  
Leistung - max 13W  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerLDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2060pF @ 12.5  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.6nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 50A  
Konfiguration 2 N-Channel (Half Bridge)  
Grundproduktnummer CSD86360Q5  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Texas Instruments CSD86360Q5D.

Produkteigenschaften CSD86360Q5D CSD87330Q3D CSD85312Q3E CSD87333Q3D
Artikelnummer CSD86360Q5D CSD87330Q3D CSD85312Q3E CSD87333Q3D
Hersteller Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Supplier Device-Gehäuse 8-LSON (5x6) 8-LSON (3.3x3.3) 8-VSON (3.3x3.3) 8-VSON (3.3x3.3)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2060pF @ 12.5 900pF @ 15V 2390pF @ 10V 662pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.6nC @ 4.5V 5.8nC @ 4.5V 15.2nC @ 4.5V 4.6nC @ 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25V 30V 20V 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs - - 12.4mOhm @ 10A, 8V 14.3mOhm @ 4A, 8V
Serie NexFET™ NexFET™ NexFET™ NexFET™
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Leistung - max 13W 6W 2.5W 6W
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate, 5V Drive Logic Level Gate, 5V Drive
Grundproduktnummer CSD86360Q5 CSD87330 CSD85312 CSD87333Q3
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verpackung / Gehäuse 8-PowerLDFN 8-PowerLDFN 8-PowerVDFN 8-PowerTDFN
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 50A 20A 39A 15A
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 125°C (TJ)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Konfiguration 2 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Dual) Common Source 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
VGS (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA 2.1V @ 250µA 1.4V @ 250µA 1.2V @ 250µA

CSD86360Q5D Datenblatt PDF

Laden Sie CSD86360Q5D PDF -Datenblätter und Texas Instruments -Dokumentation für CSD86360Q5D - Texas Instruments herunter.

PCN -Design/Spezifikation
Qualification Revision A 01/Jul/2014.pdf CSD86360Q5D 03/Jul/2018.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly/Test Site Addition 10/Aug/2015.pdf
PCN -Verpackung
MSL1 Bubble Bag Conversion 24/Sep/2013.pdf

Lieferung

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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