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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysCSD87313DMS
Texas Instruments
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CSD87313DMS - Texas Instruments

Hersteller Artikelnummer
CSD87313DMS
Hersteller
Texas Instruments
Allelco Artikelnummer
32D-CSD87313DMS
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8WSON
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerWDFN
Datenblatt
CSD87313DMS.pdf
RoHS Status
vorrätig: 52140

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Anzahl

Spezifikation

CSD87313DMS Tech -Spezifikationen
Texas Instruments - CSD87313DMS Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments - CSD87313DMS

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Texas Instruments  
VGS (th) (Max) @ Id 1.25V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-WSON (3.3x3.3)  
Serie NexFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs -  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerWDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4290pF @ 15V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 4.5V  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C -  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) Common Drain  
Grundproduktnummer CSD87313  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Texas Instruments CSD87313DMS.

Produkteigenschaften CSD87313DMS CSD87335Q3D CSD86311W1723 CSD87334Q3D
Artikelnummer CSD87313DMS CSD87335Q3D CSD86311W1723 CSD87334Q3D
Hersteller Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C - - 4.5A 20A
Grundproduktnummer CSD87313 CSD87335Q3 CSD86311 CSD87334Q3
VGS (th) (Max) @ Id 1.25V @ 250µA 1.9V @ 250µA 1.4V @ 250µA 1.2V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs - - 39mOhm @ 2A, 8V 6mOhm @ 12A, 8V
FET-Merkmal - - Logic Level Gate Logic Level Gate
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4290pF @ 15V 1050pF @ 15V 585pF @ 12.5V 1260pF @ 15V
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie NexFET™ NexFET™ NexFET™ NexFET™
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 30V 25V 30V
Supplier Device-Gehäuse 8-WSON (3.3x3.3) 8-LSON (3.3x3.3) 12-DSBGA 8-VSON (3.3x3.3)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 4.5V 7.4nC @ 4.5V 4nC @ 4.5V 8.3nC @ 4.5V
Verpackung / Gehäuse 8-PowerWDFN 8-PowerLDFN 12-UFBGA, DSBGA 8-PowerTDFN

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Versandkosten

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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