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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAPT58M80J
APT58M80J Image
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APT58M80J - Microchip Technology

Hersteller Artikelnummer
APT58M80J
Hersteller
Microchip Technology
Allelco Artikelnummer
32D-APT58M80J
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 60A SOT227
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-227-4, miniBLOC
Datenblatt
Power Products Catalog.pdf
RoHS Status
vorrätig: 864

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Anzahl

Spezifikation

APT58M80J Tech -Spezifikationen
Microchip Technology - APT58M80J Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Microchip Technology - APT58M80J

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Microchip Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 5mA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-227  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 43A, 10V  
Verlustleistung (max) 960W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Chassis Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 17550 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 570 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 60A (Tc)  
Grundproduktnummer APT58M80  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Microchip Technology APT58M80J.

Produkteigenschaften APT58M80J APT56M60B2 APT6010JFLL APT56M60L
Artikelnummer APT58M80J APT56M60B2 APT6010JFLL APT56M60L
Hersteller Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology
Serie - POWER MOS 8™ POWER MOS 7® -
Verlustleistung (max) 960W (Tc) 1040W (Tc) - 1040W (Tc)
Grundproduktnummer APT58M80 APT56M60 APT6010 APT56M60
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 43A, 10V 130mOhm @ 28A, 10V 100mOhm @ 23.5A, 10V 130mOhm @ 28A, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 17550 pF @ 25 V 11300 pF @ 25 V 6710 pF @ 25 V 11300 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±30V ±30V - ±30V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V - 10V
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 5mA 5V @ 2.5mA 5V @ 2.5mA 5V @ 2.5mA
Supplier Device-Gehäuse SOT-227 TO-247 [B] ISOTOP® TO-264
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V 600 V 600 V 600 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 60A (Tc) 60A (Tc) 47A (Tc) 60A (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Paket Tube Tube Tube Tube
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC TO-247-3 Variant SOT-227-4, miniBLOC TO-264-3, TO-264AA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Chassis Mount Through Hole Chassis Mount Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 570 nC @ 10 V 280 nC @ 10 V 150 nC @ 10 V 280 nC @ 10 V
FET-Merkmal - - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)

APT58M80J Datenblatt PDF

Laden Sie APT58M80J PDF -Datenblätter und Microchip Technology -Dokumentation für APT58M80J - Microchip Technology herunter.

Umweltinformationen
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
PCN Andere
Integration 13/May/2020.pdf
HTML -Datenblatt
Power Products Catalog.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Fab Site 27/Jul/2022.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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32D-APT58M80J

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