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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAPT58M50JCU2
APT58M50JCU2 Image
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APT58M50JCU2 - Microchip Technology

Hersteller Artikelnummer
APT58M50JCU2
Hersteller
Microchip Technology
Allelco Artikelnummer
32D-APT58M50JCU2
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 58A SOT227
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-227-4, miniBLOC
Datenblatt
APT58M50JCU2.pdf
RoHS Status
vorrätig: 1052

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Anzahl

Spezifikation

APT58M50JCU2 Tech -Spezifikationen
Microchip Technology - APT58M50JCU2 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Microchip Technology - APT58M50JCU2

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Microchip Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-227  
Serie POWER MOS 8™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 42A, 10V  
Verlustleistung (max) 543W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Chassis Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 10800 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 340 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 58A (Tc)  
Grundproduktnummer APT58M50  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Microchip Technology APT58M50JCU2.

Produkteigenschaften APT58M50JCU2 APT6010JLL APT56M50L APT56M60B2
Artikelnummer APT58M50JCU2 APT6010JLL APT56M50L APT56M60B2
Hersteller Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA 5V @ 2.5mA 5V @ 2.5mA 5V @ 2.5mA
Befestigungsart Chassis Mount Chassis Mount Through Hole Through Hole
Verlustleistung (max) 543W (Tc) - 780W (Tc) 1040W (Tc)
Grundproduktnummer APT58M50 APT6010 APT56M50 APT56M60
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 58A (Tc) 47A (Tc) 56A (Tc) 60A (Tc)
Supplier Device-Gehäuse SOT-227 ISOTOP® TO-264 TO-247 [B]
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±30V - ±30V ±30V
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC TO-264-3, TO-264AA TO-247-3 Variant
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V 600 V 500 V 600 V
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Paket Bulk Tube Tube Tube
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V - 10V 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 42A, 10V 100mOhm @ 23.5A, 10V 100mOhm @ 28A, 10V 130mOhm @ 28A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 340 nC @ 10 V 150 nC @ 10 V 220 nC @ 10 V 280 nC @ 10 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie POWER MOS 8™ POWER MOS 7® - POWER MOS 8™
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 10800 pF @ 25 V 6710 pF @ 25 V 8800 pF @ 25 V 11300 pF @ 25 V

APT58M50JCU2 Datenblatt PDF

Laden Sie APT58M50JCU2 PDF -Datenblätter und Microchip Technology -Dokumentation für APT58M50JCU2 - Microchip Technology herunter.

Umweltinformationen
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
PCN Andere
Integration 13/May/2020.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Fab Site 27/Jul/2022.pdf

Lieferung

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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