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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAPT58M50J
APT58M50J Image
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APT58M50J - Microchip Technology

Hersteller Artikelnummer
APT58M50J
Hersteller
Microchip Technology
Allelco Artikelnummer
32D-APT58M50J
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 58A ISOTOP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-227-4, miniBLOC
Datenblatt
Power Products Catalog.pdf
RoHS Status
vorrätig: 1440

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Anzahl

Spezifikation

APT58M50J Tech -Spezifikationen
Microchip Technology - APT58M50J Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Microchip Technology - APT58M50J

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Microchip Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse ISOTOP®  
Serie POWER MOS 8™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 42A, 10V  
Verlustleistung (max) 540W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Chassis Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 13500 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 340 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 58A (Tc)  
Grundproduktnummer APT58M50  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Microchip Technology APT58M50J.

Produkteigenschaften APT58M50J APT58F50J APT56M60B2 APT56F60B2
Artikelnummer APT58M50J APT58F50J APT56M60B2 APT56F60B2
Hersteller Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 58A (Tc) 58A (Tc) 60A (Tc) 60A (Tc)
Verlustleistung (max) 540W (Tc) 540W (Tc) 1040W (Tc) 1040W (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Befestigungsart Chassis Mount Chassis Mount Through Hole Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 340 nC @ 10 V 340 nC @ 10 V 280 nC @ 10 V 280 nC @ 10 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Supplier Device-Gehäuse ISOTOP® ISOTOP® TO-247 [B] T-MAX™ [B2]
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC TO-247-3 Variant TO-247-3 Variant
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA 5V @ 2.5mA 5V @ 2.5mA 5V @ 2.5mA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie POWER MOS 8™ POWER MOS 8™ POWER MOS 8™ POWER MOS 8™
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Grundproduktnummer APT58M50 APT58F50 APT56M60 APT56F60
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 13500 pF @ 25 V 13500 pF @ 25 V 11300 pF @ 25 V 11300 pF @ 25 V
Paket Tube Tube Tube Tube
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V 500 V 600 V 600 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 42A, 10V 65mOhm @ 42A, 10V 130mOhm @ 28A, 10V 110mOhm @ 28A, 10V

APT58M50J Datenblatt PDF

Laden Sie APT58M50J PDF -Datenblätter und Microchip Technology -Dokumentation für APT58M50J - Microchip Technology herunter.

Umweltinformationen
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
PCN Andere
Integration 13/May/2020.pdf
HTML -Datenblatt
Power Products Catalog.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Fab Site 27/Jul/2022.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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32D-APT58M50J

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