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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAPT56M60L
Microchip Technology
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

APT56M60L - Microchip Technology

Hersteller Artikelnummer
APT56M60L
Hersteller
Microchip Technology
Allelco Artikelnummer
32D-APT56M60L
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 60A TO264
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-264-3, TO-264AA
Datenblatt
APT56M60L.pdf
RoHS Status
vorrätig: 2636

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Anzahl

Spezifikation

APT56M60L Tech -Spezifikationen
Microchip Technology - APT56M60L Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Microchip Technology - APT56M60L

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Microchip Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-264  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130mOhm @ 28A, 10V  
Verlustleistung (max) 1040W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 11300 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 280 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 60A (Tc)  
Grundproduktnummer APT56M60  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Microchip Technology APT56M60L.

Produkteigenschaften APT56M60L APT58M50JU3 APT58M50JCU2 APT56F50L
Artikelnummer APT56M60L APT58M50JU3 APT58M50JCU2 APT56F50L
Hersteller Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Supplier Device-Gehäuse TO-264 SOT-227 SOT-227 TO-264 [L]
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA 5V @ 2.5mA 5V @ 2.5mA 5V @ 2.5mA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Befestigungsart Through Hole Chassis Mount Chassis Mount Through Hole
Paket Tube Bulk Bulk Tube
Grundproduktnummer APT56M60 APT58M50 APT58M50 APT56F50
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 60A (Tc) 58A (Tc) 58A (Tc) 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130mOhm @ 28A, 10V 65mOhm @ 42A, 10V 65mOhm @ 42A, 10V 100mOhm @ 28A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 11300 pF @ 25 V 10800 pF @ 25 V 10800 pF @ 25 V 8800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 280 nC @ 10 V 340 nC @ 10 V 340 nC @ 10 V 220 nC @ 10 V
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC TO-264-3, TO-264AA
Serie - POWER MOS 8™ POWER MOS 8™ POWER MOS 8™
Verlustleistung (max) 1040W (Tc) 543W (Tc) 543W (Tc) 780W (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 500 V 500 V 500 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

APT56M60L Datenblatt PDF

Laden Sie APT56M60L PDF -Datenblätter und Microchip Technology -Dokumentation für APT56M60L - Microchip Technology herunter.

Umweltinformationen
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
PCN Andere
Integration 13/May/2020.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Fab Site 27/Jul/2022.pdf

Lieferung

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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