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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysAPTM100A13SG
Microchip Technology
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

APTM100A13SG - Microchip Technology

Hersteller Artikelnummer
APTM100A13SG
Hersteller
Microchip Technology
Allelco Artikelnummer
32D-APTM100A13SG
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SP6
Datenblatt
Power Products Catalog.pdf
RoHS Status
vorrätig: 111

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Anzahl

Spezifikation

APTM100A13SG Tech -Spezifikationen
Microchip Technology - APTM100A13SG Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Microchip Technology - APTM100A13SG

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Microchip Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 6mA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SP6  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 156mOhm @ 32.5A, 10V  
Leistung - max 1250W  
Verpackung / Gehäuse SP6  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Chassis Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 15200pF @ 25V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 562nC @ 10V  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1000V (1kV)  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 65A  
Konfiguration 2 N-Channel (Half Bridge)  
Grundproduktnummer APTM100  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Microchip Technology APTM100A13SG.

Produkteigenschaften APTM100A13SG APTM100A13DG APTM20AM04FG APTM10AM02FG
Artikelnummer APTM100A13SG APTM100A13DG APTM20AM04FG APTM10AM02FG
Hersteller Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 156mOhm @ 32.5A, 10V 156mOhm @ 32.5A, 10V 5mOhm @ 186A, 10V 2.5mOhm @ 200A, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 15200pF @ 25V 15200pF @ 25V 28900pF @ 25V 40000pF @ 25V
Supplier Device-Gehäuse SP6 SP6 SP6 SP6
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 65A 65A 372A 495A
Befestigungsart Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 562nC @ 10V 562nC @ 10V 560nC @ 10V 1360nC @ 10V
Grundproduktnummer APTM100 APTM100 APTM20 APTM10
Paket Bulk Bulk Bulk Bulk
Konfiguration 2 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Half Bridge)
Leistung - max 1250W 1250W 1250W 1250W
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 6mA 5V @ 6mA 5V @ 10mA 4V @ 10mA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse SP6 SP6 SP6 SP6
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1000V (1kV) 1000V (1kV) 200V 100V
Serie - - - -

APTM100A13SG Datenblatt PDF

Laden Sie APTM100A13SG PDF -Datenblätter und Microchip Technology -Dokumentation für APTM100A13SG - Microchip Technology herunter.

Umweltinformationen
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
PCN Andere
Integration 13/May/2020.pdf
HTML -Datenblatt
Power Products Catalog.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly Site 27/Jan/2023.pdf

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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