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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysAPTM10AM02FG
Microchip Technology
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

APTM10AM02FG - Microchip Technology

Hersteller Artikelnummer
APTM10AM02FG
Hersteller
Microchip Technology
Allelco Artikelnummer
32D-APTM10AM02FG
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 100V 495A SP6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SP6
Datenblatt
Power Products Catalog.pdf
RoHS Status
vorrätig: 95

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Anzahl

Spezifikation

APTM10AM02FG Tech -Spezifikationen
Microchip Technology - APTM10AM02FG Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Microchip Technology - APTM10AM02FG

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Microchip Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 10mA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SP6  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5mOhm @ 200A, 10V  
Leistung - max 1250W  
Verpackung / Gehäuse SP6  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Chassis Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 40000pF @ 25V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1360nC @ 10V  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 495A  
Konfiguration 2 N-Channel (Half Bridge)  
Grundproduktnummer APTM10  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Microchip Technology APTM10AM02FG.

Produkteigenschaften APTM10AM02FG APTM20AM04FG APTM100A13SG APTM50AM24SG
Artikelnummer APTM10AM02FG APTM20AM04FG APTM100A13SG APTM50AM24SG
Hersteller Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V 200V 1000V (1kV) 500V
Konfiguration 2 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Half Bridge)
Supplier Device-Gehäuse SP6 SP6 SP6 SP6
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 40000pF @ 25V 28900pF @ 25V 15200pF @ 25V 19600pF @ 25V
Paket Bulk Bulk Bulk Bulk
Leistung - max 1250W 1250W 1250W 1250W
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5mOhm @ 200A, 10V 5mOhm @ 186A, 10V 156mOhm @ 32.5A, 10V 28mOhm @ 75A, 10V
Grundproduktnummer APTM10 APTM20 APTM100 APTM50
Verpackung / Gehäuse SP6 SP6 SP6 SP6
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 10mA 5V @ 10mA 5V @ 6mA 5V @ 6mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1360nC @ 10V 560nC @ 10V 562nC @ 10V 434nC @ 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 495A 372A 65A 150A
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Serie - - - -
FET-Merkmal - - - -

APTM10AM02FG Datenblatt PDF

Laden Sie APTM10AM02FG PDF -Datenblätter und Microchip Technology -Dokumentation für APTM10AM02FG - Microchip Technology herunter.

Umweltinformationen
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
PCN Andere
Integration 13/May/2020.pdf
HTML -Datenblatt
Power Products Catalog.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly Site 27/Jan/2023.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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