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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAPTM10UM01FAG
Microchip Technology
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

APTM10UM01FAG - Microchip Technology

Hersteller Artikelnummer
APTM10UM01FAG
Hersteller
Microchip Technology
Allelco Artikelnummer
32D-APTM10UM01FAG
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 860A SP6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SP6
Datenblatt
Power Products Catalog.pdf
RoHS Status
vorrätig: 126

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Anzahl

Spezifikation

APTM10UM01FAG Tech -Spezifikationen
Microchip Technology - APTM10UM01FAG Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Microchip Technology - APTM10UM01FAG

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Microchip Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 12mA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SP6  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6mOhm @ 275A, 10V  
Verlustleistung (max) 2500W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse SP6  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Chassis Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 60000 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2100 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 860A (Tc)  
Grundproduktnummer APTM10  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Microchip Technology APTM10UM01FAG.

Produkteigenschaften APTM10UM01FAG APTM100UM45FAG APTM100UM65SAG APTM20UM03FAG
Artikelnummer APTM10UM01FAG APTM100UM45FAG APTM100UM65SAG APTM20UM03FAG
Hersteller Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 12mA 5V @ 30mA 5V @ 20mA 5V @ 15mA
Befestigungsart Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
FET-Merkmal - - - -
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Supplier Device-Gehäuse SP6 SP6 SP6 SP6
Grundproduktnummer APTM10 APTM100 APTM100 APTM20
Verlustleistung (max) 2500W (Tc) 5000W (Tc) 3250W (Tc) 2270W (Tc)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 860A (Tc) 215A (Tc) 145A (Tc) 580A (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 1000 V 1000 V 200 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 60000 pF @ 25 V 42700 pF @ 25 V 28500 pF @ 25 V 43300 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Verpackung / Gehäuse SP6 SP6 SP6 SP6
Serie - - - POWER MOS 7®
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6mOhm @ 275A, 10V 52mOhm @ 107.5A, 10V 78mOhm @ 72.5A, 10V 3.6mOhm @ 290A, 10V
Paket Bulk Bulk Bulk Bulk
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2100 nC @ 10 V 1602 nC @ 10 V 1068 nC @ 10 V 840 nC @ 10 V

APTM10UM01FAG Datenblatt PDF

Laden Sie APTM10UM01FAG PDF -Datenblätter und Microchip Technology -Dokumentation für APTM10UM01FAG - Microchip Technology herunter.

Umweltinformationen
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
PCN Andere
Integration 13/May/2020.pdf
HTML -Datenblatt
Power Products Catalog.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly Site 27/Jan/2023.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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