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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAPTM20UM03FAG
Microchip Technology
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

APTM20UM03FAG - Microchip Technology

Hersteller Artikelnummer
APTM20UM03FAG
Hersteller
Microchip Technology
Allelco Artikelnummer
32D-APTM20UM03FAG
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 580A SP6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SP6
Datenblatt
Power Products Catalog.pdf
RoHS Status
vorrätig: 127

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Anzahl

Spezifikation

APTM20UM03FAG Tech -Spezifikationen
Microchip Technology - APTM20UM03FAG Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Microchip Technology - APTM20UM03FAG

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Microchip Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 15mA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SP6  
Serie POWER MOS 7®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.6mOhm @ 290A, 10V  
Verlustleistung (max) 2270W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse SP6  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Chassis Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 43300 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 840 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 580A (Tc)  
Grundproduktnummer APTM20  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Microchip Technology APTM20UM03FAG.

Produkteigenschaften APTM20UM03FAG APTM100UM45FAG APTM10UM01FAG APTM100UM65SAG
Artikelnummer APTM20UM03FAG APTM100UM45FAG APTM10UM01FAG APTM100UM65SAG
Hersteller Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 580A (Tc) 215A (Tc) 860A (Tc) 145A (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V 1000 V 100 V 1000 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 43300 pF @ 25 V 42700 pF @ 25 V 60000 pF @ 25 V 28500 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Verpackung / Gehäuse SP6 SP6 SP6 SP6
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Serie POWER MOS 7® - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Grundproduktnummer APTM20 APTM100 APTM10 APTM100
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.6mOhm @ 290A, 10V 52mOhm @ 107.5A, 10V 1.6mOhm @ 275A, 10V 78mOhm @ 72.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 840 nC @ 10 V 1602 nC @ 10 V 2100 nC @ 10 V 1068 nC @ 10 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 2270W (Tc) 5000W (Tc) 2500W (Tc) 3250W (Tc)
Paket Bulk Bulk Bulk Bulk
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 15mA 5V @ 30mA 4V @ 12mA 5V @ 20mA
Supplier Device-Gehäuse SP6 SP6 SP6 SP6

APTM20UM03FAG Datenblatt PDF

Laden Sie APTM20UM03FAG PDF -Datenblätter und Microchip Technology -Dokumentation für APTM20UM03FAG - Microchip Technology herunter.

Umweltinformationen
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
PCN Andere
Integration 13/May/2020.pdf
HTML -Datenblatt
Power Products Catalog.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly Site 27/Jan/2023.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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