PMXB40UNE Tech -Spezifikationen
Nexperia - PMXB40UNE Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Nexperia - PMXB40UNE
| Produkteigenschaften | Eigenschaften | |
|---|---|---|
| Hersteller | Nexperia | |
| VGS (th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA | |
| Vgs (Max) | ±8V | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Supplier Device-Gehäuse | DFN1010D-3 | |
| Serie | - | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45 mOhm @ 3.2A, 4.5V | |
| Verlustleistung (max) | 400mW (Ta), 8.33W (Tc) | |
| Verpackung | Original-Reel® | |
| Verpackung / Gehäuse | 3-XDFN Exposed Pad | |
| Andere Namen | 1727-1475-6 568-10946-6 568-10946-6-ND |
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| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften | |
|---|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) | |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 8 Weeks | |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant | |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 556pF @ 10V | |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.6nC @ 4.5V | |
| Typ FET | N-Channel | |
| FET-Merkmal | - | |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 12V | |
| detaillierte Beschreibung | N-Channel 12V 3.2A (Ta) 400mW (Ta), 8.33W (Tc) Surface Mount DFN1010D-3 | |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 3.2A (Ta) |
Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Nexperia PMXB40UNE.
| Produkteigenschaften |  |
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|---|---|---|---|---|
| Artikelnummer | PMXB40UNE | SQM10250E_GE3 | STT4PF20V | IRFR5410TRPBF |
| Hersteller | Nexperia | Vishay Siliconix | STMicroelectronics | Infineon Technologies |
| FET-Merkmal | - | - | - | - |
| Andere Namen | 1727-1475-6 568-10946-6 568-10946-6-ND |
- | - | - |
| Serie | - | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | STripFET™ II | HEXFET® |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.6nC @ 4.5V | 75 nC @ 10 V | 7.8 nC @ 4.5 V | 58 nC @ 10 V |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) | - | - | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| Supplier Device-Gehäuse | DFN1010D-3 | TO-263 (D²Pak) | SOT-23-6 | D-Pak |
| Typ FET | N-Channel | N-Channel | P-Channel | P-Channel |
| Vgs (Max) | ±8V | ±20V | ±10V | ±20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45 mOhm @ 3.2A, 4.5V | 30mOhm @ 15A, 10V | 110mOhm @ 1.5A, 4.5V | 205mOhm @ 7.8A, 10V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 3.2A (Ta) | 65A (Tc) | 3A (Tc) | 13A (Tc) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant | - | - | - |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 12V | 250 V | 20 V | 100 V |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V | 7.5V, 10V | 2.7V, 4.5V | 10V |
| VGS (th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA | 3.5V @ 250µA | 600mV @ 250µA (Min) | 4V @ 250µA |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 8 Weeks | - | - | - |
| detaillierte Beschreibung | N-Channel 12V 3.2A (Ta) 400mW (Ta), 8.33W (Tc) Surface Mount DFN1010D-3 | - | - | - |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 556pF @ 10V | 4050 pF @ 25 V | 500 pF @ 15 V | 760 pF @ 25 V |
| Verpackung / Gehäuse | 3-XDFN Exposed Pad | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | SOT-23-6 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Verpackung | Original-Reel® | - | - | - |
| Verlustleistung (max) | 400mW (Ta), 8.33W (Tc) | 375W (Tc) | 1.6W (Tc) | 66W (Tc) |
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SQM10250E_GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 250V 65A TO263
PMXB65ENEFreescale / NXP Semiconductors
PMX-20-0-116WLNSP-HR-01-0QualcommSTT4PF20VSTMicroelectronicsMOSFET P-CH 20V 3A SOT-23-6IRFR5410TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 100V 13A DPAK
IRFL024ZInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223PMXB56ENNexperiaMOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN
SPP02N80C3Infineon TechnologiesN-CHANNEL POWER MOSFET
FDP054N10Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1PMXB65UPEFreescale / NXP SemiconductorsPMXB43UNEFreescale / NXP SemiconductorsRFD14N05SM9AFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1PMXB56ENZNXP SemiconductorsNEXPERIA PMXB56EN - 30 V, N-CHANPMXB360ENEAFreescale / NXP SemiconductorsSI7611DN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 40V 18A PPAK1212-8
PMXB56ENZNexperia USA Inc.MOSFET N-CH 30V 3.2A DFN1010D-3
FQU3N60CTUonsemiMOSFET N-CH 600V 2.4A IPAKPMXB120EPEZNexperia USA Inc.MOSFET P-CH 30V 2.4A DFN1010D-3| Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder | ||
|---|---|---|
| Region | Land | Logistische Zeit (Tag) |
| Amerika | Vereinigte Staaten | 5 |
| Brasilien | 7 | |
| Europa | Deutschland | 5 |
| Großbritannien | 4 | |
| Italien | 5 | |
| Ozeanien | Australien | 6 |
| Neuseeland | 5 | |
| Asien | Indien | 4 |
| Japan | 4 | |
| Naher Osten | Israel | 6 |
| DHL & FedEx -Versandkosten Referenz | |
|---|---|
| Versandkosten (KG) | Referenz DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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