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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelPMXB56EN
PMXB56EN Image
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PMXB56EN - Nexperia

Hersteller Artikelnummer
PMXB56EN
Hersteller
Nexperia
Allelco Artikelnummer
32D-PMXB56EN
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
3-XDFN Exposed Pad
Datenblatt
PMXB56EN.pdf
RoHS Status
Bleifrei / RoHS-konform
vorrätig: 4050

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Spezifikation

PMXB56EN Tech -Spezifikationen
Nexperia - PMXB56EN Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Nexperia - PMXB56EN

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Nexperia  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse DFN1010D-3  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55 mOhm @ 3.2A, 10V  
Verlustleistung (max) 400mW (Ta), 8.33W (Tc)  
Verpackung Cut Tape (CT)  
Verpackung / Gehäuse 3-XDFN Exposed Pad  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)  
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 209pF @ 15V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.3nC @ 10V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
detaillierte Beschreibung N-Channel 30V 3.2A (Ta) 400mW (Ta), 8.33W (Tc) Surface Mount DFN1010D-3  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.2A (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Nexperia PMXB56EN.

Produkteigenschaften PMXB56EN DN2470K4-G PMXB56ENZ IPD60R360PFD7SAUMA1
Artikelnummer PMXB56EN DN2470K4-G PMXB56ENZ IPD60R360PFD7SAUMA1
Hersteller Nexperia Microchip Technology Nexperia USA Inc. Infineon Technologies
FET-Merkmal - Depletion Mode - -
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 700 V 30 V 600 V
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA - 2V @ 250µA 4.5V @ 140µA
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verlustleistung (max) 400mW (Ta), 8.33W (Tc) 2.5W (Ta) 400mW (Ta), 8.33W (Tc) 43W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.3nC @ 10V - 6.3 nC @ 10 V 12.7 nC @ 10 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 209pF @ 15V 540 pF @ 25 V 209 pF @ 15 V 534 pF @ 400 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Verpackung Cut Tape (CT) - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.2A (Ta) 170mA (Tj) 3.2A (Ta) 10A (Tc)
detaillierte Beschreibung N-Channel 30V 3.2A (Ta) 400mW (Ta), 8.33W (Tc) Surface Mount DFN1010D-3 - - -
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant - - -
Verpackung / Gehäuse 3-XDFN Exposed Pad TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 3-XDFN Exposed Pad TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55 mOhm @ 3.2A, 10V 42Ohm @ 100mA, 0V 55mOhm @ 3.2A, 10V 360mOhm @ 2.9A, 10V
Serie - - - CoolMOS™ PFD7
Supplier Device-Gehäuse DFN1010D-3 TO-252, (D-Pak) DFN1010D-3 PG-TO252-3-344
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 0V 4.5V, 10V 10V

PMXB56EN Datenblatt PDF

Laden Sie PMXB56EN PDF -Datenblätter und Nexperia -Dokumentation für PMXB56EN - Nexperia herunter.

Datenblätte
PMXB56EN.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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