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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelPMXB56ENZ
PMXB56ENZ Image
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PMXB56ENZ - Nexperia USA Inc.

Hersteller Artikelnummer
PMXB56ENZ
Hersteller
Nexperia
Allelco Artikelnummer
32D-PMXB56ENZ
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 3.2A DFN1010D-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
3-XDFN Exposed Pad
Datenblatt
PMXB56EN.pdf
RoHS Status
vorrätig: 440000

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Anzahl

Spezifikation

PMXB56ENZ Tech -Spezifikationen
Nexperia USA Inc. - PMXB56ENZ Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Nexperia USA Inc. - PMXB56ENZ

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Nexperia  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse DFN1010D-3  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 3.2A, 10V  
Verlustleistung (max) 400mW (Ta), 8.33W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 3-XDFN Exposed Pad  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 209 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.3 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.2A (Ta)  
Grundproduktnummer PMXB56  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Nexperia USA Inc. PMXB56ENZ.

Produkteigenschaften PMXB56ENZ DMN10H120SFG-13 IRLTS6342TRPBF IPB120N04S401ATMA1
Artikelnummer PMXB56ENZ DMN10H120SFG-13 IRLTS6342TRPBF IPB120N04S401ATMA1
Hersteller Nexperia USA Inc. Diodes Incorporated Infineon Technologies Infineon Technologies
Vgs (Max) ±20V ±20V ±12V ±20V
Grundproduktnummer PMXB56 DMN10 IRLTS6342 IPB120
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
FET-Merkmal - - - -
Supplier Device-Gehäuse DFN1010D-3 POWERDI3333-8 6-TSOP PG-TO263-3
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 100 V 30 V 40 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.2A (Ta) 3.8A (Ta) 8.3A (Ta) 120A (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 3V @ 250µA 1.1V @ 10µA 4V @ 140µA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Serie - - HEXFET® OptiMOS™
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 6V, 10V 2.5V, 4.5V 10V
Verpackung / Gehäuse 3-XDFN Exposed Pad 8-PowerVDFN SOT-23-6 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 209 pF @ 15 V 549 pF @ 50 V 1010 pF @ 25 V 14000 pF @ 25 V
Verlustleistung (max) 400mW (Ta), 8.33W (Tc) 1W (Ta) 2W (Ta) 188W (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.3 nC @ 10 V 10.6 nC @ 10 V 11 nC @ 4.5 V 176 nC @ 10 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 3.2A, 10V 110mOhm @ 3.3A, 10V 17.5mOhm @ 8.3A, 4.5V 1.5mOhm @ 100A, 10V

PMXB56ENZ Datenblatt PDF

Laden Sie PMXB56ENZ PDF -Datenblätter und Nexperia USA Inc. -Dokumentation für PMXB56ENZ - Nexperia USA Inc. herunter.

PCN -Verpackung
All Dev Label Chgs 2/Aug/2020.pdf Label Chg 12/Mar/2017.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Wafer Test Chgs 4/Feb/2022.pdf
Datenblätter
PMXB56EN.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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