PJW3P06A_R2_00001 Tech -Spezifikationen
Panjit International Inc. - PJW3P06A_R2_00001 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Panjit International Inc. - PJW3P06A_R2_00001

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Hersteller	PANJIT
VGS (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	SOT-223
Serie	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	190mOhm @ 2A, 10V
Verlustleistung (max)	3.1W (Ta)
Verpackung / Gehäuse	TO-261-4, TO-261AA
Paket	Tape & Reel (TR)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	430 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	8.3 nC @ 10 V
Typ FET	P-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	3A (Ta)
Grundproduktnummer	PJW3P06A

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Panjit International Inc. PJW3P06A_R2_00001.

Produkteigenschaften
Artikelnummer	PJW3P06A_R2_00001	PJW5N10A_R2_00001	PJW5N10_R2_00001	IXFR24N100
Hersteller	Panjit International Inc.	Panjit International Inc.	Panjit International Inc.	IXYS
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	190mOhm @ 2A, 10V	115mOhm @ 4A, 10V	130mOhm @ 2.5A, 10V	390mOhm @ 12A, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	3A (Ta)	3.5A (Ta), 5A (Tc)	3.1A (Ta), 5A (Tc)	22A (Tc)
Befestigungsart	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	Through Hole
Vgs (Max)	±20V	±20V	±20V	±20V
Paket	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tube
Grundproduktnummer	PJW3P06A	PJW5N10	PJW5N10	IXFR24
Serie	-	-	-	HiPerFET™
Verlustleistung (max)	3.1W (Ta)	3.1W (Ta), 5.2W (Tc)	3.1W (Ta)	416W (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	4.5V, 10V	6V, 10V	10V
Typ FET	P-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel
VGS (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA	2.5V @ 250µA	3.5V @ 250µA	5.5V @ 8mA
FET-Merkmal	-	-	-	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V	100 V	100 V	1000 V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse	TO-261-4, TO-261AA	TO-261-4, TO-261AA	TO-261-4, TO-261AA	TO-247-3
Supplier Device-Gehäuse	SOT-223	SOT-223	SOT-223	ISOPLUS247™
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	430 pF @ 30 V	1413 pF @ 25 V	707 pF @ 30 V	8700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	8.3 nC @ 10 V	20 nC @ 10 V	12 nC @ 10 V	267 nC @ 10 V

PJW3P06A_R2_00001 Datenblatt PDF

Laden Sie PJW3P06A_R2_00001 PDF -Datenblätter und Panjit International Inc. -Dokumentation für PJW3P06A_R2_00001 - Panjit International Inc. herunter.

Datenblätter: PJW3P06A.pdf

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Europa	Deutschland	5
	Großbritannien	4
	Italien	5
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Ozeanien	Neuseeland	5
Asien	Indien	4
Asien	Japan	4
Naher Osten	Israel	6

DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG)	Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg	USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg	USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg	USD$50.00 - USD$100.00

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