PJW5N10A_R2_00001 Tech -Spezifikationen
Panjit International Inc. - PJW5N10A_R2_00001 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Panjit International Inc. - PJW5N10A_R2_00001

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Hersteller	PANJIT
VGS (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	SOT-223
Serie	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	115mOhm @ 4A, 10V
Verlustleistung (max)	3.1W (Ta), 5.2W (Tc)
Verpackung / Gehäuse	TO-261-4, TO-261AA
Paket	Tape & Reel (TR)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1413 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20 nC @ 10 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	3.5A (Ta), 5A (Tc)
Grundproduktnummer	PJW5N10

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Panjit International Inc. PJW5N10A_R2_00001.

Produkteigenschaften
Artikelnummer	PJW5N10A_R2_00001	IPD50R500CEAUMA1	PJW3P06A_R2_00001	IRLR8256PBF
Hersteller	Panjit International Inc.	Infineon Technologies	Panjit International Inc.	Infineon Technologies
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grundproduktnummer	PJW5N10	IPD50R500	PJW3P06A	-
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	3.5A (Ta), 5A (Tc)	7.6A (Tc)	3A (Ta)	81A (Tc)
Vgs (Max)	±20V	±20V	±20V	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	SOT-223	PG-TO252-3	SOT-223	D-Pak
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20 nC @ 10 V	18.7 nC @ 10 V	8.3 nC @ 10 V	15 nC @ 4.5 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	13V	4.5V, 10V	4.5V, 10V
Befestigungsart	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1413 pF @ 25 V	433 pF @ 100 V	430 pF @ 30 V	1470 pF @ 13 V
VGS (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA	3.5V @ 200µA	2.5V @ 250µA	2.35V @ 25µA
FET-Merkmal	-	-	-	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V	500 V	60 V	25 V
Verlustleistung (max)	3.1W (Ta), 5.2W (Tc)	57W (Tc)	3.1W (Ta)	63W (Tc)
Paket	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs	115mOhm @ 4A, 10V	500mOhm @ 2.3A, 13V	190mOhm @ 2A, 10V	5.7mOhm @ 25A, 10V
Verpackung / Gehäuse	TO-261-4, TO-261AA	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	TO-261-4, TO-261AA	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Typ FET	N-Channel	N-Channel	P-Channel	N-Channel
Serie	-	CoolMOS™ CE	-	HEXFET®

PJW5N10A_R2_00001 Datenblatt PDF

Laden Sie PJW5N10A_R2_00001 PDF -Datenblätter und Panjit International Inc. -Dokumentation für PJW5N10A_R2_00001 - Panjit International Inc. herunter.

Datenblätter: PJW5N10A.pdf

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0.00kg-1.00kg	USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg	USD$50.00 - USD$100.00

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